产品详情
BATOP SAM可饱和吸收镜
BATOP的可饱和吸收镜是一种可快速响应的光脉冲非线性光学设备,其中SESAM,RSAM和 SOC 是用于稳定、自启动的DPSS被动锁模激光器最简单的锁模元件。可饱和吸收镜又可称为半导体可饱和吸收镜(SESAM)。

德国BATOP GmbH公司成立于2003年,是一家基于耶拿大学创新技术的高科技公司。BATOP专注于激光和太赫兹领域的光学产品,具有精密的低温分子束外延技术,介质溅射镀膜能力,晶圆加工和芯片安装技术。目前, BATOP 已经成为被动锁模激光器可饱和吸收体的世界一流供应商。

BATOP的可饱和吸收产品集合了各式各样的器件,从可饱和吸收镜(SAM),到可饱和输出镜(SOC)到用于透过应用的可饱和吸收体(SA)BATOP可饱和吸收镜的波长范围覆盖了800nm3µm的常用激光。

BATOP另一个产品系列是用于太赫兹发射和探测(Thz)的太赫兹光电导天线(PCA)BATOP不仅提供单带隙天线,还提供整合了微透镜的高能大狭缝交叉天线阵列,甚至可以提供整套的太赫兹光谱仪。BATOP太赫兹光电导天线PCT的激发波长为800nm1550nm之间。

维尔克斯光电和德国BATOP公司有着紧密和深入的合作,能够迅速响应用户对可饱和吸收镜和太赫兹器件的报价和交货需求。

 

BATOP的可饱和吸收镜是一种可快速响应的光脉冲非线性光学设备,其中SESAMRSAM和 SOC 是用于稳定、自启动的DPSS被动锁模激光器最简单的锁模元件。可饱和吸收镜又可称为半导体可饱和吸收镜(SESAM)。

 

SAM可饱和吸收镜的原理

可饱和吸收镜(SESAM)的基本结构包括两层反射镜和它们中间的半导体可饱和吸收体。其基底一般为半导体反射镜,反射镜的上面是具有一定厚度的可饱和吸收体,在上面是一层反射层或直接利用半导体与空气的界面作为反射镜。这样外侧的两个反射镜就形成了一个法布里-珀罗腔(FP cavity),通过设置不同的吸收体的厚度和反射率,就可以调节吸收体的调制深度和反射镜的带宽。

SAM可饱和吸收镜可作为锁模激光器的锁模元件。其原理是利用半导体吸收的两个特征弛豫时间:带间跃迁 (interband transition) 弛豫时间和带内热平衡 (intraband thermalization) 弛豫时间。在SAM锁模过程中,响应时间较长的带间跃迁 (如载流子重组,几ps~几百ps) 提供了锁模的自启动机制,而响应时间很短的带内热平衡(100~200fs)可以有效压缩脉宽、维持锁模。

 

 

BATOP公司SAM可饱和吸收镜分类:

从波长范围来看,BATOP SAM可饱和吸收镜具有如下波长的产品:

 790 nm ... 830 nm: 800 nm  

   910 nm ... 990 nm: 940 nm | 980 nm  

   1020 nm ... 1150 nm: 1040 nm | 1064 nm | 1100 nm  

   1110 nm ... 1320 nm: 1150 nm | 1300 nm  

   1320 nm ... 1460 nm: 1340 nm | 1420 nm  

   1470 nm ... 1660 nm: 1510 nm | 1550 nm | 1645 nm  

   1900 nm ... 3200 nm: 2000 nm | 2150 nm | 2400 nm | 3000 nm

 

BATOP公司SAM可饱和吸收镜的封装方式和产品型号:

首先可饱合吸收镜有三种封装方式,分别是裸片,粘附在散热基座,和光纤尾端等方式。

 

接下来介绍BATOP公司可饱和吸收镜产品的命名规则,我们看到的BATOP产品名称如下:

SAM-1064-1-1ps-x

SAM-980-15-500fs-x

SAM表示产品分类,1064980表示激光波长,115表示吸收率,1ps500fs表示弛豫时间。-x表示封装形式,

-x封装形式又可参照以下解释

SAM-980-12-500fs-4.0-12.7s-c

SAM-980-12-500fs-4.0-25.4g-c

12.725.4表示透镜尺寸,s,gw表示焊接、胶合还是焊接到水冷铜基底上。最后的-c, -e表示中心封装或者边缘封装,也可为FCPC表示光纤耦合。

 

BATOP SAM可饱和吸收镜的具体型号参数如下

型号

描述

SAM-810-5-1ps-x

SAM: λ = 810 nm, 吸收 5 %,

Δ R = 3 %, 弛豫时间 ~ 1 ps

SAM-800-6-1ps-x

SAM: λ = 800 nm, 吸收 6 %,

Δ R = 3.5 %, 弛豫时间 ~ 1 ps

SAM-810-6-1ps-x

SAM: λ = 810 nm, 吸收 6 %,

Δ R = 3.5 %, 弛豫时间 ~ 1 ps

SAM-800-7-1ps-x

SAM: λ = 800 nm, 吸收 7 %,

Δ R = 4 %, 弛豫时间 ~ 1 ps

SAM-810-7-1ps-x

SAM: λ = 810 nm, 吸收 7 %,

Δ R = 4 %, 弛豫时间 ~ 1 ps

SAM-800-10-1ps-x

SAM: λ = 800 nm, 吸收 10 %,

Δ R = 6 %, 弛豫时间 ~ 1 ps

SAM-810-10-1ps-x

SAM: λ = 810 nm, 吸收 10 %,

Δ R = 6 %, 弛豫时间 ~ 1 ps

SAM-830-10-1ps-x

SAM: λ = 830 nm, 吸收 10 %,

Δ R = 6 %, 弛豫时间 ~ 1 ps

SAM-940-4-1ps-x

SAM: λ = 940 nm, 吸收 4 %, 弛豫时间 ~ 1 ps

SAM-940-5-1ps-x

SAM: λ = 940 nm, 吸收 5 %, 弛豫时间 ~ 1 ps

SAM-940-6-1ps-x

SAM: λ = 940 nm, 吸收 6 %, 弛豫时间 ~ 1 ps

SAM-940-30-1ps-x

SAM: λ = 940 nm, 吸收 30 %, 弛豫时间 ~ 1 ps

SAM-980-2-1ps-x

SAM: λ = 980 nm, 吸收 2 %,  t ~ 1 ps

SAM-980-3-1ps-x

SAM: λ = 980 nm, 吸收 3 %,  t ~ 1 ps

SAM-980-4-1ps-x

SAM: λ = 980 nm, 吸收 4 %,  t ~ 1 ps

SAM-980-12-500fs-x

SAM: λ = 980 nm, 吸收 12 %,  t ~ 500 fs

SAM-980-15-500fs-x

SAM: λ = 980 nm, 吸收 15 %,  t ~ 500 fs

SAM-980-50-500fs-x

SAM: λ = 980 nm, 吸收 50 %,  t ~ 500 fs

SAM-980-70-500fs-x

SAM: λ = 980 nm, 吸收 70 %,  t ~ 500 fs

SAM-1040-1-500fs-x

 SAM: λ = 1040 nm, 吸收 1 %, Δ R = 0.6 %,

 τ ~ 500 fs,

SAM-1040-2-1ps-x

 SAM: λ = 1040 nm, 吸收 2 %, Δ R = 1.2 %,

 τ ~ 1 ps

SAM-1040-2.5-1ps-x

 SAM: λ = 1040 nm, 吸收 2.5 %, Δ R = 1.4 %,

 τ ~ 1 ps

SAM-1040-3-1ps-x

 SAM: λ = 1040 nm, 吸收 3 %, Δ R = 1.6 %

SAM-1040-4-500fs-x

 SAM: λ = 1040 nm, 吸收 4 %, Δ R = 2.6 %,

 τ ~ 500 fs

SAM-1040-5-1ps-x

 SAM: λ = 1040 nm, 吸收 5 %, Δ R = 3 %,

τ ~ 1 ps,

SAM-1040-7-1ps-x

 SAM: λ = 1040 nm, 吸收 7 %, Δ R = 4 % ,

 τ ~ 1 ps

SAM-1040-8-1ps-x

 SAM: λ = 1040 nm, 吸收 8 %, Δ R = 5 % ,

 τ ~ 1 ps

SAM-1040-10-1ps-x

 SAM: λ = 1040 nm, 吸收 10 %, Δ R = 6 %,

 τ ~ 1 ps

SAM-1040-15-500fs-x

 SAM: λ = 1040 nm, 吸收 15 %, Δ R = 8 %,

 τ ~ 500 fs

SAM-1040-27-1ps-x

 SAM: λ = 1040 nm, 吸收 27 %, Δ R = 11 %,

 τ ~ 1 ps

SAM-1030-32-1ps-x

 SAM: λ = 1030 nm, 吸收 32 %, Δ R = 20 %,

 τ ~ 1 ps, 对于掺Yb锁模光纤激光

SAM-1040-40-500fs-x

 SAM: λ = 1040 nm, 吸收 40 %, Δ R = 24 %,

 τ ~ 500 fs

SAM-1040-43-1ps-x

 SAM: λ = 1040 nm, 吸收 43 %, Δ R = 25 %,

 τ ~ 1 ps

SAM-1030-48-500fs-x

 SAM: λ = 1030 nm, 吸收 48 %, Δ R = 28 %,

 τ ~ 500 fs, 对于掺Yb锁模光纤激光

SAM-1030-48-1ps-x

 SAM: λ = 1030 nm, 吸收 48 %, Δ R = 28 %,

 τ ~ 1 ps, 对于掺Yb锁模光纤激光

SAM-1030-50-1ps-x

 SAM: λ = 1030 nm, 吸收 50 %, Δ R = 35 %,

 τ ~ 1 ps, 对于掺Yb锁模光纤激光

SAM-1040-50-1ps-x

 SAM: λ = 1040 nm, 吸收 50 %, Δ R = 30 %,

 τ 1 ps

SAM-1030-52-500fs-x

 SAM: λ = 1030 nm, 吸收 52 %, Δ R = 30 %,

 τ ~ 500 fs, 对于掺Yb锁模光纤激光

SAM-1040-54-1ps-x

 SAM: λ = 1040 nm, 吸收 54 %, Δ R = 32 %,

 τ ~ 1 ps

SAM-1040-60-1ps-x

 SAM: λ = 1040 nm, 吸收 60 %, Δ R = 35 %,

 τ ~ 1 ps

SAM-1040-64-700fs-x

 SAM: λ = 1040 nm, 吸收 64 %, Δ R = 38 %,

 τ = 700 fs

passive heat sink

 被动热沉 coupled SAM

 

 

SAM-1064-0.7-1ps-x

 SAM: λ = 1064 nm, 吸收 0.7 %, Δ R = 0.4 %,

 τ ~ 1 ps

SAM-1064-1-1ps-x

 SAM: λ = 1064 nm, 吸收 1 %, Δ R = 0.6 %,

 τ ~ 1 ps

SAM-1064-1.5-1ps-x

 SAM: λ = 1064 nm, 吸收 1.5 %, Δ R = 0.8 %,

 τ ~ 1 ps

SAM-1064-2-1ps-x

 SAM: λ = 1064 nm, 吸收 2 %, Δ R = 1.2 %,

 τ ~ 1 ps

SAM-1064-3-1ps-x

 SAM: λ = 1064 nm, 吸收 3 %, Δ R = 1.6 %,

 τ ~ 1 ps

SAM-1064-3.5-1ps-x

 SAM: λ = 1064 nm, 吸收 3.5 %, Δ R = 2 %,

 τ ~ 1 ps

SAM-1064-4-1ps-x

 SAM: λ = 1064 nm, 吸收 4 %, Δ R = 2.4 %,

 τ ~ 1 ps

SAM-1064-5-1ps-x

 SAM: λ = 1064 nm, 吸收 5 %, Δ R = 3 %, 

 τ ~ 1 ps

SAM-1064-6-1ps-x

 SAM: λ = 1064 nm, 吸收 6 %, Δ R = 3.5 %, 

 τ ~ 1 ps

SAM-1064-8-500fs-x

 SAM: λ = 1064 nm, 吸收 8 %, Δ R = 5 %

SAM-1064-10-1ps-x

 SAM: λ = 1064 nm, 吸收 10 %, Δ R = 6 %,

 τ ~ 1 ps

SAM-1064-13-500fs-x

 SAM: λ = 1064 nm, 吸收 13 %, Δ R = 8 %

SAM-1064-18-500fs-x

 SAM: λ = 1064 nm, 吸收 18 %, Δ R = 10 %,

 τ ~ 500 fs, antiresonant multi quantum well structure,

SAM-1064-23-1ps-x

 SAM: λ = 1064 nm, 吸收 28 %, Δ R = 15 %,

 τ ~ 1 ps, antiresonant multi quantum well structure,

SAM-1064-26-1ps-x

 SAM: λ = 1064 nm, 吸收 28 %, Δ R = 13 %,

 τ ~ 1 ps, resonant multi quantum well structure,

SAM-1064-38-1ps-x

 SAM: λ = 1064 nm, 吸收 38 %, Δ R = 23 %,

 τ ~ 1 ps, antiresonant multi quantum well structure,

SAM-1064-70-500fs-x

 SAM: λ = 1064 nm, 吸收 70 %, Δ R = 40 %,

 τ ~ 500 fs

SAM-1100-30-500fs-x

 SAM: λ = 1100 nm, 吸收 30 %,

  Δ R = 20 %, t ~ 500 fs

SAM-1100-50-500fs-x

 SAM: λ = 1100 nm, 吸收 50 %,

  Δ R = 28 %, t ~ 500 fs

SAM-1100-70-500fs-x

 SAM: λ = 1100 nm, 吸收 70 %,

  Δ R = 40 %, t ~ 500 fs

SAM-1100-90-500fs-x

 SAM: λ = 1100 nm, 吸收 90 %,

  Δ R = 50 %, t ~ 500 fs

SAM-1150-3-500fs-x

 SAM: λ = 1150 nm, 吸收 3 %,

  Δ R = 1.9 %, t ~ 500 fs

SAM-1150-4-500fs-x

 SAM: λ = 1150 nm, 吸收 4 %,

  Δ R = 2.5 %, t ~ 500 fs

SAM-1150-6-500fs-x

 SAM: λ = 1150 nm, 吸收 6 %,

  Δ R = 3.8 %, t ~ 500 fs

SAM-1150-32-1ps-x

 SAM: λ = 1150 nm, 吸收 32 %,

  Δ R = 20 %, t ~ 1 ps

 

SAM-1300-4-10ps-x

SAM: λ = 1240 ..1340 nm, 吸收 4 %, Δ R = 2.5 %, t ~ 10 ps

SAM-1300-7-10ps-x

SAM: λ = 1220..1320 nm, 吸收 7 %, Δ R = 4 %, t ~ 10 ps

SAM-1300-8-10ps-x

SAM: λ = 1240..1340 nm, 吸收 8 %, Δ R = 5 %, t ~ 10 ps

SAM-1300-10-10ps-x

SAM: λ = 1220..1330 nm, 吸收 10 %, Δ R = 6 %, t ~ 10 ps

SAM-1300-12-10ps-x

SAM: λ = 1240..1340 nm, 吸收 12 %, Δ R = 7 %, t ~ 10 ps

SAM-1340-1-1ps-x

SAM: λ = 1310 ..1370 nm, 吸收 1 %, D R = 0.6 %, t ~ 1 ps

SAM-1340-2-1ps-x

SAM: λ = 1310 ..1370 nm, 吸收 2 %, D R = 1.2 %, t ~ 1 ps

SAM-1340-3-1ps-x

SAM: λ = 1310 ..1370 nm, 吸收 3 %, D R = 1.6 %, t ~ 1 ps

SAM-1340-7-1ps-x

SAM: λ = 1300 ..1400 nm, 吸收 7 %, D R = 4 %, t ~ 1 ps

SAM-1340-15-1ps-x

SAM: λ = 1260 ..1370 nm, 吸收 15 %, D R = 8 %, t ~ 1 ps

SAM-1420-1-10ps-x

 SAM: λ = 1420 nm, 吸收 1 %, Δ R = 0.6 %,

 弛豫时间 ~ 10 ps

SAM-1420-4-10ps-x

 SAM: λ = 1420 nm, 吸收 4 %, Δ R = 2.5 %,

 弛豫时间 ~ 10 ps

SAM-1510-4-10ps-x

SAM: λ = 1510 nm, 吸收 4 %, Δ R = 2.5 %,

弛豫时间 ~ 10 ps

SAM-1510-6-10ps-x

SAM: λ = 1510 nm, 吸收 6 %, Δ R = 4 %,

弛豫时间 ~ 10 ps

SAM-1510-18-2ps-x

SAM: λ = 1510 nm, 吸收 18 %, Δ R = 11 %,

弛豫时间 2 ps

SAM-1510-23-2ps-x

SAM: λ = 1510 nm, 吸收 23 %, Δ R = 14 %,

弛豫时间 2 ps

SAM-1550-2-2ps-x

 SAM: λ = 1550 nm, 吸收 2 %, Δ R = 1.2 %,

 弛豫时间 ~ 2ps

SAM-1550-4-2ps-x

 SAM: λ = 1550 nm, 吸收 4 %, Δ R = 2.4 %,

 弛豫时间 ~ 2ps

SAM-1550-6-2ps-x

 SAM: λ = 1550 nm, 吸收 6 %, Δ R = 3.6 %,

 弛豫时间 ~ 2ps

SAM-1550-7-5ps-x

 SAM: λ = 1550 nm, 吸收 7 %, Δ R = 4 %,

 弛豫时间 5 ps

SAM-1550-8-2ps-x

 SAM: λ = 1550 nm, 吸收 8 %, Δ R = 5.5 %,

 弛豫时间 ~ 2ps

SAM-1550-10-2ps-x

 SAM: λ = 1550 nm, 吸收 10 %, Δ R = 6 %,

 弛豫时间 2 ps

SAM-1550-10-5ps-x

 SAM: λ = 1550 nm, 吸收 10 %, Δ R = 6 %,

 弛豫时间 5 ps

SAM-1550-12-2ps-x

 SAM: λ = 1550 nm, 吸收 12 %, Δ R = 7 %,

 弛豫时间 2 ps

SAM-1550-12-5ps-x

 SAM: λ = 1550 nm, 吸收 12 %, Δ R = 7 %,

 弛豫时间 ~ 5 ps

SAM-1550-14-5ps-x

 SAM: λ = 1550 nm, 吸收 14 %, Δ R = 8 %,

 弛豫时间 5 ps

SAM-1550-16-2ps-x

 SAM: λ = 1550 nm, 吸收 16 %, Δ R = 9 %,

 弛豫时间 ~ 2 ps

SAM-1550-17-2ps-x

 SAM: λ = 1550 nm, 吸收 17 %, Δ R = 10 %,

 弛豫时间 2 ps

SAM-1550-17-4ps-x

 SAM: λ = 1550 nm, 吸收 17 %, Δ R = 10 %,

 弛豫时间 4 ps

SAM-1550-20-4ps-x

 SAM: λ = 1550 nm, 吸收 20 %, Δ R = 12 %,

 弛豫时间 4 ps

SAM-1550-21-2ps-x

 SAM: λ = 1550 nm, 吸收 21 %, Δ R = 13 %,

 弛豫时间 ~ 2 ps

SAM-1550-25-2ps-x

 SAM: λ = 1550 nm, 吸收 25 %, Δ R = 15 %,

 弛豫时间 2 ps

SAM-1550-26-5ps-x

 SAM: λ = 1550 nm, 吸收 26 %, Δ R = 16 %,

 弛豫时间 5 ps

SAM-1550-32-4ps-x

 SAM: λ = 1550 nm, 吸收 32 %, Δ R = 20 %,

 弛豫时间 4 ps

SAM-1550-33-2ps-x

 SAM: λ = 1550 nm, 吸收 33 %, Δ R = 19 %,

 弛豫时间 2 ps

SAM-1550-37-2ps-x

 SAM: λ = 1550 nm, 吸收 37 %, Δ R = 22 %,

 弛豫时间 ~ 2 ps

SAM-1550-55-2ps-x

 SAM: λ = 1550 nm, 吸收 55 %, Δ R = 36 %,

 弛豫时间 ~ 2 ps

SAM-1645-4-2ps-x

 SAM: λ = 1645 nm, 吸收 4 %, Δ R = 2.4 %,

 弛豫时间 ~ 2ps

SAM-1645-32-2ps-x

 SAM: λ = 1645 nm, 吸收 32 %, Δ R = 20 %,

 弛豫时间 ~ 2ps

SAM-1645-50-2ps-x

 SAM: λ = 1645 nm, 吸收 50 %, Δ R = 30 %,

 弛豫时间 ~ 2ps

 

SAM-2000-2-10ps-x

 SAM: λ = 1700 nm - 2150 nm, 吸收 2 %,

Δ R = 1.2 %,  弛豫时间 ~ 10 ps.

This SAM can be only glued on a copper heat sink, but not soldered

SAM-1920-2-30ps-x

 SAM: λ = 1920 nm, 吸收 2 %, Δ R = 1.2 %,

 弛豫时间 ~ 600 fs and ~ 34 ps

SAM-1920-4-30ps-x

 SAM: λ = 1920 nm, 吸收 4 %, Δ R = 2.6 %,

 弛豫时间 ~ 600 fs and ~ 40 ps

SAM-1920-7-10ps-x

 SAM: λ = 1920 nm, 吸收 7 %, Δ R = 4 %,

 弛豫时间 ~ 10 ps

SAM-1920-8-10ps-x

 SAM: λ = 1920 nm, 吸收 8 %, Δ R = 5 %,

 弛豫时间 ~ 10 ps

SAM-1920-36-10ps-x

 SAM: λ = 1920 nm, 吸收 36 %, Δ R = 20 %,

 弛豫时间 ~ 10 ps

SAM-1960-5-10ps-x

 SAM: λ = 1960 nm, 吸收 5 %, Δ R = 3 %,

 弛豫时间 ~ 10 ps

SAM-1960-8-10ps-x

 SAM: λ = 1960 nm, 吸收 8 %, Δ R = 5 %,

 弛豫时间 ~ 10 ps

SAM-1960-13-10ps-x

 SAM: λ = 1960 nm, 吸收 13 %, Δ R = 8 %,

 弛豫时间 ~ 10 ps

SAM-1960-15-10ps-x

 SAM: λ = 1960 nm, 吸收 15 %, Δ R = 8 %,

 弛豫时间 ~ 10 ps

SAM-1960-18-10ps-x

 SAM: λ = 1960 nm, 吸收 18 %, ΔR = 10 %, 弛豫时间 ~ 10 ps, for fiber laser mode-locking

SAM-1960-30-10ps-x

 SAM: λ = 1960 nm, 吸收 30 %, ΔR = 18 %, 弛豫时间 ~ 10 ps, antiresonant design for fiber laser mode-locking

SAM-1960-54-10ps-x

 SAM: λ = 1960 nm, 吸收 54 %, Δ R = 30 %, 弛豫时间 ~ 10 ps, resonant design for fiber laser mode-locking

SAM-2000-13-10ps-x

 SAM: λ = 2000 nm, 吸收 13 %, Δ R = 8 %,  弛豫时间 ~ 10 ps

SAM-2000-20-10ps-x

 SAM: λ = 2000 nm, 吸收 20 %, Δ R = 12 %,  弛豫时间 ~ 10 ps, antiresonant resonant design for fiber laser mode-locking

SAM-2000-30-10ps-x

 SAM: λ = 2000 nm, 吸收 30 %, Δ R = 18 %,  弛豫时间 ~ 10 ps, antiresonant resonant design for fiber laser mode-locking

SAM-2000-36-10ps-x

 SAM: λ = 2000 nm, 吸收 36 %, Δ R = 20 %,  弛豫时间 ~ 10 ps, resonant design for fiber laser mode-locking

SAM-2000-43-10ps-x

 SAM: λ = 2000 nm, 吸收 43 %, Δ R = 25 %,  弛豫时间 ~ 10 ps, resonant design for fiber laser mode-locking

SAM-2000-44-10ps-x

 SAM: λ = 2000 nm, 吸收 44 %, Δ R = 19 %,  弛豫时间 ~ 10 ps, antiresonant resonant design for fiber laser mode-locking

SAM-2150-8-10ps-x

 SAM: λ = 2150 nm, 吸收 8 %, Δ R = 5 %,

 弛豫时间 ~ 10 ps

SAM-2400-1-10ps-x

 SAM: λ = 2400 nm, 吸收 1 %, Δ R = 0.6 %,

 弛豫时间 ~ 10 ps

SAM-2400-1.5-10ps-x

 SAM: λ = 2400 nm, 吸收 1.5 %, Δ R = 0.9 %,

 弛豫时间 ~ 10 ps

SAM-2900-9-10ps-x

 SAM: λ = 2900 nm, 吸收 9 %,

Δ R = 4 %, 弛豫时间 ~ 10 ps

SAM-3000-33-10ps-x

 SAM: λ = 3000 nm, 吸收 33 %,

Δ R = 18 %, 弛豫时间 ~ 10 ps

 

 

关于德国BATOP SAM可饱和吸收镜的如下资料,可联系维尔克斯光电技术人员索取。

 

砷化镓 Eg 带隙的温度依存性 

AlxGa1-xAs 能带隙 

InxGa1-xAs 能带隙 

砷化镓折射率 

AlAs 折射率 

AlxGa1-xAs 折射率 

InxGa1-xAs 折射率 

 

AlAs/GaAs 布拉格反射镜的光谱反射比

半导体可饱和吸收镜 (SAM) 如何工作?

传播中的可饱和吸收体(SA)

共振可饱和吸收镜 (RSAM)

可饱和噪声去除腔(SANOS)

可饱和吸收耦合输出镜 (SOC)

微片激光器

太赫兹光电导天线 (PCA) 用于太赫兹应用程序

产品分类
 
 
全站搜索(非常好用)
版权所有 Copyright(C)2015-2020 深圳维尔克斯光电有限公司