作者：维尔克斯 时间：2025-8-14 3:53:52
硒镓钡（BaGa₄Se₇, BGSe）与硒锗镓钡（BaGa₂GeSe₆, BGGSe）同为性能优异的中红外非线性晶体。二者均具备高激光损伤阈值，并能覆盖最高达18μm的中远红外可调谐激光输出。它们的核心优势各有侧重：BGSe晶体易于生长大尺寸，是高功率激光应用的理想选择；而BGGSe晶体则凭借其低色散特性，在超宽混频及超短脉冲激光产生方面表现卓越。
BGGSe（BaGa2GeSe6）硒锗镓钡晶体：
BaGa2GeSe6晶体（硒锗镓钡晶体）简称BGGSe晶体，为三方晶系R3空间群，其具有高的激光损伤阀值、宽的透过范围（0.5~18μm）、适中的双折射、大的非线性系数、化学性质稳定、晶体对称性高、易于加工。能使用Nd:YAG激光抽运，在CO和CO2激光倍频、光学参量振荡产生中远红外激光等红外激光变频方面具有重要的应用潜力。由于BGGSe晶体中红外非线性晶体的低色散性质和高损伤阀值，其在超宽混频和超短脉冲输出方面具有优势。
BGGSe硒锗镓钡晶体主要用途：
-宽的可选择泵浦源范围，可调谐红外输出波段（3-18μm）
-1-2μm泵浦OPO，输出高功率4-13μm以上中长波红外激光
-OPA，OPO，DFG等光谱、探测等领域
主要参数：
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透过范围 |
0.47-18μm |
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晶格常数 |
a=9.5967(5) Å, b=9.5967(5)Å, c=8.6712(7)Å, α=β=90° γ=120° Z=1 |
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密度 |
5.16g/cm3 |
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非线性系数 |
66pm/V |
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熔点 |
887℃ |
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吸收系数 |
<0.05cm-1@2.09µm <0.02cm-1@10.6µm |
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热导率 |
＜1.0W/M/° |
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抗损伤阈值@8.6ns，1.053μm |
201MW/cm2 |
加工参数：
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定向精度 |
<±0.1° |
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表面光洁度 |
20/10 per MIL-O-13830A |
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面型 |
λ/8@632.8nm for T>=1mm |
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通光面公差 |
+0/-0.1mm |
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长度公差 |
±0.1mm |
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平行度 |
30″ |
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垂直度 |
10′ |
目前BGSe和BGGSe中红外非线性晶体没有标准型号，如有需要，请联系我司的相关负责同事进行咨询了解。
BGSe（BaGa4Se7）硒镓钡晶体：
BaGa4Se7晶体(硒镓钡晶体)，简称BGSe晶体，其具有大的带隙（2.64eV），宽的透光范围（0.47~18μm），大的非线性效应（d11=24.3 pm/V，d13=20.4 pm/V），适中的双折射（Δn=0.06@2μm）和高的激光损伤阀值。BGSe晶体生长性能良好，容易得到大尺寸高质量单晶中红外非线性晶体，适合用于高功率输出。BGSe晶体可以被1~3μm的激光抽运，产生最高可达18μm的中远红外可调谐激光。
BGSe硒镓钡晶体主要用途：
-宽的可选择泵浦源范围，可调谐红外输出波段（3-18μm）
-2μm泵浦可实现非临界相位匹配（NCPM），输出高功率10μm以上长波红外激光
-OPA，OPO，DFG等光谱、探测等领域
基本参数：
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透过范围 |
0.47-18μm |
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晶格常数 |
a=7.6252(15)Å, b=6.5114(13)Å, c=14.702(4)Å, β=121.24(2), Z=2 |
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密度 |
5.16g/cm3 |
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非线性系数 |
d11=24.3pm/V |
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熔点 |
1029℃ |
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吸收系数 |
<0.01cm-1@2.09µm <0.02cm-1@10.6µm |
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热导率 |
＜1.0W/M/° |
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抗损伤阈值@8.6ns，1.053μm |
156MW/cm2 |
加工参数：
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定向精度 |
<±0.1° |
|
表面光洁度 |
20/10 per MIL-O-13830A |
|
面型 |
λ/8@632.8nm for T>=1mm |
|
通光面公差 |
+0/-0.1mm |
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长度公差 |
±0.1mm |
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平行度 |
30″ |
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垂直度 |
10′ |
