Optodiode推出13.5nm直接沉积薄膜滤光片光电探测器，光刻光源13.5nm探测器

Optodiode的光电探测器SXUV100TF135，是13.5nm探测器，这个规格可用于研究紫外光刻。该探测器也是极紫外光电二极管，额外附加了薄膜沉积滤光片，每个探测器都具有一个100平方毫米的有源区和一个直接沉积的薄膜滤光片，用于12nm和18nm之间的检测。

先看总结

SXUV100TF135和SXUV100规格尺寸一样，都是极紫外13.5nm光电二极管，唯一不同的是SXUV100TF135带有直接薄膜沉积滤光片，SXUV100没有带滤光片。SXUV100TF135适合用于13.5nm，检测的波长范围是12-18nm，超过这个范围响应度超级低，几乎不能再使用了。SXUV100也可以用于13.5nm，但是这个使用的波段范围比SXUV100TF135更长，SXUV100可用于1-190nm。

这种探测器在13.5nm处的典型响应度为0.09A/W，并针对不同的电气性能进行优化。这些13.5nm光电探测器是激光功率监测、半导体光刻和极紫外光计量系统等应用的理想选择。

直接沉积薄膜滤光片光电探测器SXUV100TF135针对更高速度的反向偏置电压运行进行了优化。13.5nm光电探测器SXUV100TF135具有低电容，通常为260pF，反向偏置电压为12伏。

Optodiode光电二极管集成了薄膜滤光片，具有卓越的稳定性和坚固的设计，适用于极端紫外线环境。工作和存储温度范围为-10 °C至+40 °C，氮气或真空环境温度范围为-20 °C至+80 °C。SXUV100TF135在装运时配好保护盖。

图1SXUV100TF135 25°C时典型的光子响应图

SXUV100极紫外光电二极管

Optodiode SXUV100极紫外光电二极管可以检测到1nm，在暴露于EUV/UV条件下的稳定响应。SXUV100响应度低，主要是针对极紫外光波段，波长范围短，所以也使它抗干扰性更好。

SXUV100极紫外光电二极管具有卓越的13.5nm光刻能力，在1nm至190nm极紫外光曝光下具有稳定的响应度，并且经过专门设计可在高强度EUV能量下长时间保持高度稳定。有效面积是100平方毫米，分流电阻10欧姆（最小值）和反向击穿电压10V（最小值）。

图2.SXUV100极紫外光电二极管典型的光子响应图

图3代表脉冲能量密度为100uJ/cm²，SXUV系列极紫外光电二极管在193和157nm激光照射下的响应稳定性，红线代表157nm，蓝色代表193nm。

图3.SXUV系列光电二极管在193和157nm激光照射下的响应稳定性

图4显示了SXUV100极紫外光电二极管表面在暴露于能量密度超过10²²光子/cm²的100 eV光子之前和之后的扫描。箭头表示探测器暴露在同步辐射束中数小时的位置。所用的光束尺寸为0.1mmx 0.5mm，考虑到测量的不确定度，可以得出这样的结论: 在接收上述注量后，二极管的响应没有变化。还请注意，SXUV100二极管的均匀性是在0.1毫米X0.5毫米光束扫描时的百分之几。

图4.使用12.4nm对SXUV100极紫外光电二极管进行线性扫描前后的结果（10²²光子/cm²的100eV光子）

图5:SXUV100Si/Zr二极管在13.5nm光束照射4x10²⁰ 60-110eV光子前后的线扫描

图5显示了带了Si/Zr滤光片的SXUV100在16mW，60-110eV光子暴露13小时后的变化。照射光斑尺寸为0.03mmx0.05mm，总沉积能量为0.75J或5kJ/cm²或约4x10²⁰光子/cm²。一般来说添加前置金属滤光片不会明显影响SXUV100极紫外光电二极管的稳定性。带直接沉积薄膜滤光片光电探测器SXUV100TF135对应SXUV100极紫外光电二极管，SXUV100极紫外光电二极管加了滤光片变成了SXUV100TF135。