作者：维尔克斯 时间：2025-2-26 9:36:09
QP50-6 TO与QP1-6 TO四象限插针式光电探测器在封装规格上采用统一标准：两款产品均通过盒式包装（12cm×16.5cm）交付，内部配置减震泡沫材料进行器件固定。其工艺管控要求具体如下：焊接制程中需确保四象限光电探测器焊接温度最高为260℃，对于ESD保护，标准的预防措施就足够了。
QP50-6 TO和QP1-6 TO四象限插针光电二极管应用：
-激光束位置传感器
-激光束位置传感器
-椭圆计
QP50-6 TO四象限插针光电二极管特点
-四象限插针光电二极管
-高灵敏度
-低暗电流
QP50-6 TO四象限插针光电二极管参数
QP50-6 TO四象限插针光电二极管具有低暗电流和象限PIN4x12平方毫米有源光电二极管区域。金属可封闭式TO8S带有透明玻璃窗的包装。
四象限光电二极管绝对最大额定值如下表
|
符号 |
参数 |
最小值 |
最大值 |
单位 |
|
TSTG |
存储温度 |
-55 |
125 |
°C |
|
TOP |
工作温度 |
-40 |
100 |
°C |
|
Mmax |
最大反向电压 |
|
20 |
V |
|
IPEAK |
峰值直流电流 |
|
10 |
mA |
原理图
23°时的光谱响应
QP50-6 TO四象限插针光电二极管23度时的光电特性如下表。
|
符号 |
特征 |
测试条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
|
|
元素数量 |
|
4象限 |
|
||
|
|
有效区域 |
|
直径7980 |
μm |
||
|
|
有效区域 |
每个元素 |
12 |
mm2 |
||
|
|
间隙 |
元素之间 |
42 |
μm |
||
|
ID |
暗电流 |
VR=10V，每个元素 |
|
2.0 |
5.0 |
nA |
|
C |
电容 |
VR=0V，每个元素 |
|
120 |
|
pF |
|
VR=10V，每个元素 |
|
20 |
|
pF |
||
|
|
响应率 |
λ=632nm |
|
0.4 |
|
A/W |
|
λ=900nm |
|
0.64 |
|
A/W |
||
|
tR |
上升时间 |
VR=0V; λ=850nm; RL= 50Ω |
|
2000 |
|
ns |
|
VR=10V;λ=850nm;RL= 50 Ω |
|
40 |
|
ns |
||
|
|
分流电阻 |
VR=5mV，每个元素 |
|
50 |
|
MΩ |
|
|
N.E.P. |
VR=5V，λ=900nm，每个元素 |
|
4E-14 |
|
W/√Hz |
|
VBR |
击穿电压 |
IR=2µA |
20 |
|
50 |
V |
23°C时量子效率
反向偏压的电容(23°，每个元件)
暗电流作为偏置力（23°C，每个元件）
QP1-6 TO四象限插针光电二极管特点
-1平方毫米象限PIN探测器
-高灵敏度
-间隙小
-低暗电流
QP1-6 TO四象限插针光电二极管参数
低暗电流圆形有源区象限PIN光电二极管，具有4x0.25平方毫米的有源区。QP1-6 TO四象限插针光电二极管是金属可封装TO52封装，带有透明玻璃窗。
QP1-6 TO四象限插针光电二极管绝对最大额定值如下表
|
符号 |
参数 |
最小值 |
最大值 |
单位 |
|
TSTG |
存储温度 |
-55 |
125 |
°C |
|
TOP |
工作温度 |
-40 |
100 |
°C |
|
Mmax |
最大反向电压 |
|
50 |
V |
|
IPEAK |
峰值直流电流 |
|
10 |
mA |
原理图
QP1-6 TO四象限插针光电二极管23°时的光谱响应
23度时的光电特性如下表。
|
符号 |
特征 |
测试条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
|
|
元素数量 |
|
4象限 |
|
||
|
|
有效区域 |
|
直径1130 |
μm |
||
|
|
有效区域 |
每个元素 |
0.25 |
mm2 |
||
|
|
间隙 |
元素之间 |
16 |
μm |
||
|
ID |
暗电流 |
VR=10V，每个元素 |
|
0.1 |
0.5 |
nA |
|
C |
电容 |
VR=0V，每个元素 |
|
5 |
|
pF |
|
VR=10V，每个元素 |
|
0.75 |
|
pF |
||
|
|
响应率 |
λ=632nm |
|
0.4 |
|
A/W |
|
λ=900nm |
|
0.64 |
|
A/W |
||
|
tR |
上升时间 |
VR=0V; λ=850nm; RL= 50Ω |
|
2000 |
|
ns |
|
VR=10V;λ=850nm;RL= 50 Ω |
|
20 |
|
ns |
||
|
VR=80V;λ=850nm;RL= 50 Ω |
|
10 |
|
ns |
||
|
|
分流电阻 |
VR=5mV，每个元素 |
500 |
1000 |
|
MΩ |
|
|
N.E.P. |
VR=5V，λ=900nm，每个元素 |
|
9E-15 |
|
W/√Hz |
|
VBR |
击穿电压 |
IR=2µA |
50 |
100 |
|
V |
23°量子效率
反向偏压的电容(23°，每个元件)
四象限光电二极管暗电流作为偏置力（23°C，每个元件）
