AD500-9 SMD和AD500-9 TO雪崩光电二极管产品介绍

作者：维尔克斯时间：2025-3-3 10:11:28

雪崩光电二极管（APD）作为高精度光电传感核心器件，广泛应用于空间探测、工业自动化及智能系统领域。其典型应用场景涵盖激光测距装置、三维激光扫描系统、LiDAR传感模块以及高精度编码器等先进设备。该器件凭借倍增效应特性，在毫米级近距探测至千米级远距测量场景中均能实现纳秒级响应速度与微米级测量精度。制造商可根据终端应用场景的定制化需求，通过载流子注入控制、倍增层结构优化等半导体工艺调整手段，对器件的量子效率（QE）、增益带宽积（GBP）、响应速率（tr/tf）以及结电容（Cj）等关键参数进行针对性优化，从而实现光电器件性能与系统需求的精准匹配。

AD500-9 TO和AD500-9 SMD是两种封装的雪崩光电二极管，AD500-9 TO工作温度是-40°至100°，AD500-9 SMD工作温度是-20°到70°，两种雪崩二极管APD的峰值直流电流都是0.25mA。

AD500-9 TO雪崩光电二极管

AD500-9 TO雪崩光电二极管是圆形活性区域APD芯片，具有近红外增强灵敏度。金属可封装TO52封装，带有透明玻璃窗口。四种TO52类型可供选择。AD500-9 TO雪崩光电二极管在IR=2µA测试条件下，击穿电压最小值是160V，最大值是240V。在M=100测试条件下，暗电流的典型值是0.8nA，最大值是2.0nA。

雪崩二极管APD绝对最大额定值如下表。

符号	参数	最小值	最大值	单位
TSTG	存储温度	-55	125	°C
TOP	工作温度	-40	100	°C
Mmax	增益(lpo=1nA)	200
IPEAK	峰值直流电流		0.25	mA

光谱响应（M=100）

AD500-9 TO雪崩光电二极管和AD500-9 SMD 雪崩光电二极管23°C的电光特性

型号			AD500-9 TO			AD500-9 SMD			/
符号	特征	测试条件	最小值	典型值	最大值	最小值	典型值	最大值	单位
	有效区域		diameter 500			diameter 500			µm
	有效区域		0.196			0.196			mm²
ID	暗电流	M=100		0.8	2.0		0.8	2.0	nA
C	电容	M=100		1.2			1.2		pF
	响应率	M = 100; λ = 905 nm	48	52		52	58	60	A/W
		M=100,A=905nm	38	49		42	45		A/W
tR	上升时间	M=100; λ=905nm; RL=50Ω		0.55			0.55		ns
	截止频率	-3dB		0.5			0.5		GHz
VBR	击穿电压	IR=2µA, VBR提供像素合并	160		240	160		240	V
	温度系数	VBR随温度变化	1.25		1.55	1.25		1.55	V/K
	过量噪声系数	M=100		2.5			2.5
	过量噪音指数	M=100		0.2			0.2