Silicon HR 传感器压电纳米台，PIEZOCONCEPT单晶硅传感器与电容传感器，金属应变片的特点

法国PIEZOCONCEPT的纳米位移台使用传感器类型为单晶硅传感器，称为 Silicon HR 传感器。尽管单晶硅传感器是应变片传感器大系列的一部分，但它的性能优于另外两种常用的技术（电容式传感器和金属应变片）。这两种常用的技术有其自身的特定缺点。本篇文章对比了法国PIEZOCONCEPT公司采用的压电纳米台所用的单晶硅传感器与市面上普遍使用的电容式传感器以及金属应变片，旨在为客户揭示这三种传感器技术各自的特性。让客户更清楚地认识到单晶硅传感器、电容式传感器和金属应变片这三种传感器技术各自的优势和特点。

金属应变片和 PIEZOCONCEPT Silicon HR 技术之间的比较

金属应变片与PIEZOCONCEPT Silicon HR 技术之间的差异会更大。在压电纳米台使用中，由于半导体的应变片在稳定性上和PIEZOCONCEPT Silicon HR 技术具有比较大的不同。因为金属应变片的应变系数很小，而PIEZOCONCEPT Silicon HR的应变系数是常见金属应变片的100倍左右，因此PIEZOCONCEPT Silicon HR的信噪比相对更好，稳定性也更好。

此外，金属应变片不能直接安装在纳米定位台的弯曲件本身上（即实现运动的地方），因此金属应变片需要安装在某种背衬上，促动器便是一种选择。由于安装在应变系数不同的面上，因此金属应变片本身会产生不可避免的蠕变或者滞后现象。而PIEZOCONCEPT 采用的Silicon HR 技术并不会产生这种不均匀的问题。

虽然法国PIEZOCONCEPT的纳米位移台使用的单晶硅传感器在长期工作稳定性和环境稳定性中都有优异表现，但是单晶硅传感器在使用上面同样也有不足之处。由于传感器使用的是单晶硅为主要材料，因此在材料的韧性上相对于电容式传感器和金属应变片有所不足。容易在高冲击力环境下出现损伤，并且维修的方式会相对比较困难。其次是响应速度问题，由于法国PIEZOCONCEPT的纳米定位台使用的单晶硅传感器信噪比相较于金属应变片更好，但是其相应速度会有一定的放缓。在某些需要快速调整微小位置的应用环境下，有一定的不足。

电容式传感器和 PIEZOCONCEPT Silicon HR 传感器的比较

电容式传感器是相当常用的。电容式传感器在纳米压电应用中提供了相当不错的性能，但电容式传感器和法国PIEZOCONCEPT的纳米位移台相比，电容式传感器对气压变化和温度变化会比较敏感。因为电容式传感器对环境的带电粒子响应会比较敏感，事实上，传感器并不都是真空使用的，使用环境的介电常数取决于气压和温度。因此在温度和气压的变化的情况下，电容的实际精度会收到不同的影响。此外，部分灰尘污染物也会对电容式传感器造成一定的影响。

以上就是法国PIEZOCONCEPT的纳米定位台使用的单晶硅传感器与其他常用的两种传感器的对比，如果想了解更多的资料，欢迎致电。如果想进一步了解法国PIEZOCONCEPT的纳米定位台使用的单晶硅传感器的更多信息可以登录法国PIEZOCONCEPT技术网站进行查看https://piezoconcept-store.squarespace.com/sensortech