高功率激光采样器可以配合多种CMOS传感器以及刀口式检测探头（机械式），无论是连续激光还是脉冲激光，都可以实现精准测量。以色列DUMA为检测大功率激光的需求提供了一系列大功率激光光束质量分析仪，为高功率光束分析仪特别设计的风冷采样器采样率可达到1.1×10-5，这款采样器可以与大功率光束分析仪完美匹配，进行高达4KW激光功率的实现测量。
所属品牌： Duma Optronics
负责人：孙泽明
联系电话：13692216712 电子邮箱：zmsun@welloptics.cn
以色列DUMA公司近期研制出一款高功率激光采样器，通过压缩空气降温的原理来实现冷却。该采样器可以提供1.1×10-5的采样效率，相比于衰减片（ND）而言，效率更高，且适用于多种场合。该采样器可以与现有光束质量分析仪相匹配，出厂即完成装配，可以满足用户对于高功率激光的检测，对于连续激光，最高可承受4KW的功率。
大功率激光光束质量的测量一直是激光行业的一个难点和痛点。无论是CMOS/CCD传感器还是刀口式检测原理，都无法承受大功率激光的直接接收，因为CMOS传感器或者CCD传感器的灵敏度都很高，仅可以承受到微瓦到毫瓦的功率范围，这使得大功率激光无法实现直接检测，这会导致因激光功率过高而直接损坏传感器，哪怕使用衰减片（ND）仍无法满足，甚至需要配合多个衰减片进行一个整体组合后才可使用，这会使得激光整体模式受到不可估计的影响。
我司为用户提供两种系列光束质量分析仪，LAM和M2-Beam，其中LAM可用于检测工作面上的聚焦激光，其检测原理为刀口式测量原理，仅可检测连续激光（CW），M2-Beam的普通型号同样采取刀口式测量原理。当然，为了满足用户对于脉冲激光（Pulsed）的检测需求，我们也提供CMOS传感器版本（-U3型号）。
以上机型均可安装高功率激光采样器，SAM-HP-M。需要注意的是，在测量大功率激光时，连续曝光时间不能超过5s。并且高功率机型出厂后，风冷采样器处于已装配状态，原则上讲我们不提倡用户将其拆卸，因为其中涉及到接收对准和安装工艺问题，这会导致拆卸后无法安装的问题存在，基于更小的灵敏度，仪器哪怕装载了风冷采样器，对于小功率激光仍具备一定的探测能力。
LAM大功率激光光束质量分析仪产品规格参数：
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LAM-BA |
LAM-U3 |
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传感器类型 |
硅基，使用刀口法测量技术 |
CMOS |
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刀口数 |
7 |
- |
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光谱范围： |
硅：350-1100nm |
350-1310nm |
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功率范围@900/1070 nm |
最高4KW（需要衰减片和高压空气风冷，可能会有一些限制） |
连续激光1-2500W，脉冲激光1-1000W |
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光斑尺寸范围 |
35微米至8毫米 |
75微米-6毫米 |
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分辨率（H × V像素） |
根据光束大小自适应 |
1920 ×1200 |
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传感器有效尺寸 |
9 × 9 |
11.34 × 7.13 |
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工作距离 |
49mm |
从输入表面到传感器的光学距离为40.7±0.2毫米 |
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最高BPP |
最大输入角度-25deg |
最大输入角度-25deg |
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最大功率密度 |
1,000,000 W/cm2 |
1,000,000 W/cm2 |
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光束宽度精度 |
± 1.5 ％ |
± 1.5 ％ |
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功率精度 |
± 5 ％ |
± 5 ％ |
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工作温度 |
0℃-35℃ |
0℃-35℃ |
M2-Beam 大功率光束分析仪产品规格：
-输入光束
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M2Beam |
M2Beam U3 |
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技术工艺 |
刀口式扫描原理，应用Si探测器，InGaAs探测器和增强型InGaAs探测器 |
USB 3.0接口 CMOS 2.4MP 内置过滤论 |
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光谱响应（nm） |
SI传感器：350-1100 InGaAs传感器：800-1800 Enhanced InGaAs 传感器：800-2700 |
VIS-NIR：350-1600 UV-NIR：220-1350 |
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激光功率范围 |
Si：100 μW-1 W（带衰减片） InGaAs&UV：100 μW-5 mW HP：4 kW以下 |
10μW-100mW，内置滤光轮 HP：4 kW以下 |
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刀口数 |
7 |
— |
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光束尺寸 |
带透镜高达25mm直径（Si&UV版本） |
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束腰到透镜距离 |
2.0~2.5米最佳 最小2米 |
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-扫描装配附件
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材质 |
铝 |
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透镜焦距 |
300mm（在632.6nm时） |
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透镜直径 |
25mm |
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扫描次数 |
140 |
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最小步进尺寸 |
100μm |
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扫描长度 |
280mm |
-整机
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重量 |
2.5kg |
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尺寸 |
100×173×415 mm |
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托架 |
M6或1/4“固定 |
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机械调整 |
水平角：±1.5° 垂直角：±1.5° |
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电缆长度 |
2.5m |
大功率光束分析仪的核心部件——高功率激光采样器规格参数：
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型号 |
SAM3-HP |
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光谱范围 |
250-2000nm |
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采样系数 |
1.1×10-5 |
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外型尺寸 |
40 mm dia. × 31 mm length |
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通光孔径 |
8 × 8 mm |
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从输入到采样表面的最小光路 |
25mm（视具体型号而定） |
高功率光束分析仪订购型号及描述：
LAM-BA: 7-blades, Si detector with high power attenuator and mounting adapter
LAM-U3: A camera for 350 –1310 nm with motorized built-in filter wheel with high power attenuator and mounting adaptor, a set of interchangeable filters,
M2Beam-Si – measurement device for silicon range (350 – 1100nm)
M2Beam-UV – measurement device for silicon range (190 – 1100nm)
M2Beam-IR – measurement device for silicon range (800 – 1800nm)
M2Beam-U3-VIS-NIR - measurement device for 350-1600 nm CMOS based
M2Beam-UV-NIR – Special – consult factory.
SAM3-HP-M – beam sampler for high power beams
