GaSe晶体是一种六边形晶体，主要用于远红外波段的二次谐波产生。AGSe晶体-硒化银（AgGaSe2，有时也称为银镓硒化物）广泛应用于中红外（MIR）、红外（IR）和远红外（FIR）光应用，是树波相互作用的最佳晶体之一。CdSe晶体（硒化镉）是晶体材料，通常取向为纤锌矿（六角形）。硒化镉晶体广泛应用于各种中红外（MIR）领域，最常见的是CdSe用于制造红外光学元件，以及CO、CO2或其它红外激光系统。
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非线性晶体，GaSe晶体, AGSe晶体, CdSe晶体
硒化镓（GaSe）是一种六边形晶体，主要用于远红外波段的二次谐波产生。硒化镓具有极低的莫氏硬度，使其非常脆弱，消除了应用机械处理或涂层的可能性。3photon可以提供沿光轴Z切割的气体晶体。
大的非线性光学（NLO）系数使得AGSe成为非线性光学（NLO）应用中最常用的红外晶体之一。与AGS相比，硒铝酸银（AGSe）具有红外吸收系数低、熔点低等优点。
近年来，人们采用了几种晶体生长方法来生长CdSe单晶和多晶材料。化学气相输运、固态再结晶、温度梯度溶液区生长、高压垂直区熔是获得高质量CdSe晶体的主要方法。3photon可以随时为晶体生长提供专业建议。CdSe抛光后，可根据要求对材料进行涂层处理。内部涂层由经验丰富的涂层工程师进行建模和沉积。
GaSe晶体特点：
- GaSe是非常软的材料，不能进行抛光或涂层程序；
-透明度范围：900-16000nm；
-只能在一个平面（001）上切割；
-由于高折射率和可用的方向限制，只能使用较小的θ角；
-较便宜的替代AGS或AGSe，可产生2400 nm–20000 nm或太赫兹输出。
GaSe晶体典型应用：
-GaSe最适合电子和光学应用:
高功率飞秒激光器；
太赫兹（THz）产生；
宽带中红外（MIR）电磁波产生的替代方案；
在中红外（MIR）中产生二次谐波（SHG），用于CO、CO2、染料激光器等。；
上转换：红外（IR）到近红外（NIR）范围；
光学参量产生（OPG）在3–16µm范围内。
AGSe晶体特点：
-最宽的3光子红外晶体的透明度范围从1100纳米到18微米；
-大的非线性光学（NLO）系数（deff=~27-33 pm/V）；
-宽光谱和角度接受；
-生长过程复杂，价格昂贵；
-非线性大约是AGS的2-3倍；
-高损伤阈值涂层可用于中红外（MIR）和红外（IR）范围。
AGSe晶体典型应用：
-CO（5-6μm）和CO2（10.6μm）激光系统的有效二次谐波产生（SHG）；
-Ho:YLF（2050nm）泵浦的光学参量振荡器（OPO），输出可调范围为2.5～12μm；
-中红外和远红外区域的不同频率发生器，其红外截止波长约为18µm；
-作为ZGP晶体的替代品，OPA为2.09μm->3-5μm；
-在第二阶段（在OPO以800 nm泵浦后）以产生7-20μm的更长波长。
CdSe晶体特点：
-低光吸收。
-宽带特定传输范围：2.5μm至16μm。
CdSe晶体典型应用：
-红外偏振光学：红外偏振器和红外波片。
-红外光学元件，如红外分束器、红外二色反射镜和红外窗口。
-纳米颗粒（如纳米AWS、纳米管和纳米线）。
-光学参量发生器（OPG）。
-光学参量振荡器。
-DFM变频器。
