EOT光电探测器又叫做EOT硅光电探测器、 EOT光电二极管探测器、近红外硅基二极管光电探测器、硅光电探测器、近红外硅光电探测器、硅基光电探测器、硅基二极管光电探测器等等。带宽<10GHz，占地面积小、内部电压偏置、直流至2GHz，可选外墙插入式电源、可选光纤耦合或自由空间选项。组件包含PIN光电二极管，利用光伏效应将光功率转换为电流。
所属品牌： Electro Optics Technology
负责人：陈鹏
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EOT光电探测器，带宽<10GHz，体积小、内部电压偏置、直流至2GHz
EOT硅光电二极管探测器包含PIN光电二极管，利用光伏效应将光功率转换为电流，带宽<10GHz。EOT光电探测器又叫做EOT硅光电探测器、 EOT光电二极管探测器、近红外硅基二极管光电探测器、硅光电探测器、近红外硅光电探测器、硅基光电探测器、硅基二极管光电探测器等等。
当EOT硅光电二极管探测器端接到示波器的50Ω电阻时，可以测量激光的脉冲宽度。当EOT硅光电二极管探测器端接到频谱分析仪的50Ω电阻时，可以测量激光的频率响应。
EOT光电二极管探测器中，<10GHz光电探测器自带由长寿命锂电池组成的内部偏置电源。将同轴电缆插入光电检测器的BNC输出连接器，可以在示波器或频谱分析仪处接50Ω就可以了。
带宽这个物理量非常重要，如果不作具体说明的话，一般指的两个。一个是光探测器的工作波长，俗称工作带宽，比如工作带宽600-1700nm；还有一个是指测试脉冲光信号时，脉冲信号的重复频率，比如10G光探测器，20G光探测器，1G光探测器等。
近红外硅基二极管光电探测器的上升/下降时间300ps（典型），影响度0.47A/W@830nm，电源要求直流，带宽>2GHz、暗电流<0.1nA、噪声<0.01pW/√Hz，输出连接器BNC。
典型包含可见光、近红外硅光电探测器的响应度如下：
EOT光电探测器规格：
|
产品系列 |
ET-2060 |
ET-2060 |
ET-2060 |
ET-2070 |
ET-3000- |
ET-3010 |
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光电探测器型号 |
120-10011-0001 (ET-2030) |
120-10028-0001 (ET-2040) |
120-10133-0001 (ET-2060) |
120-10134-0001 (ET-2070) |
120-10034-0001 (ET-3000) |
120-10050-0001 (ET-3010)a |
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探测器材料 |
Silicon |
InGaAs |
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|
上升/下降时间 |
<300ps/<300ps |
<30ns/<30ns |
<320ps/<320ps |
3ns/3ns |
<175ps/<175ps |
<175ps/<175ps |
|
响应度 |
0.47A/W @830nm |
0.6A/W @830nm |
0.47A/ W@830nm |
0.56A/W @830nm |
0.9A/W @1300nm |
0.9A/W @1300nm |
|
电源要求 |
9VDC |
24VDC |
9VDC |
24VDC |
6VDC |
6VDC |
|
带宽 |
>1.2GHz |
>25MHz |
>1.1GHz |
>118MHz |
>2GHz |
>2GHz |
|
有效面积直径 |
0.4mm |
4.57mm |
0.4mm |
2.55mm |
100μm |
100μm |
|
暗电流 |
<0.1nA |
<10nA |
<0.1nA |
<10nA |
<2.0nA |
<3.0nA |
|
接受角（1/2角） |
10° |
60° |
--- |
50° |
20⁰ |
--- |
|
噪声等效功率 |
<0.01pW/√Hz |
0.09pW/√Hz |
<0.01pW/√Hz |
<0.10pW/√Hz |
<0.03pW/√Hz |
0.03pW/√Hz |
|
最大线性额定值 |
连续电流3mA 脉冲电流:3mA |
连续电流:2mA 可选输入:3mW |
连续电流:3mA 可选输入:3mA |
连续电流:2.5mA 脉冲电流:15mA |
连续电流5mA |
连续电流:5mA |
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安装（螺纹孔） |
8-32orM4 |
8-32orM4 |
8-32orM4 |
8-32orM4 |
8-32orM4 |
8-32orM4 |
|
输出连接器 |
BNC |
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EOT硅光电探测器特点：
-占地面积小
-内部电压偏置
-带宽<10GHz
-直流至 2 GHz
-可选外墙插入式电源、光纤耦合或自由空间选项
EOT光电二极管探测器应用：
-监控调Q激光器的输出
-监控锁模激光器的输出
