OptoDiode滤光片光电二极管有效面积是100mm²，检测范围是1-80nm。集成薄膜滤光片的光电二极管采用薄膜沉积工艺，用于检测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱
所属品牌： Opto diode
负责人：郭工
联系电话：13434776712 电子邮箱：syguo@welloptics.cn
AXUV100TF030光敏二极管，薄膜沉积工艺
集成薄膜滤光片的光电二极管存储和工作温度在环境下是-10°C~40°C，在氮气或真空是-20°C至80°C，引线焊接温度是260°C。
OptoDiode生产集成薄膜滤光片，用于检测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱。美国OptoDiode还生产光学滤光片窗口、日光滤光片和多波长封装组件。
OptoDiode集成薄膜滤光片光敏二极管检测范围是1-80nm，有效面积是100mm²，发货时带有保护罩，可以避免元件受损。美国集成薄膜滤光片的光电二极管用于电子检测，电压直流反向最大值10伏，灵敏度0.09-0.15A/W，波长范围是3-40nm。OptoDiode滤光片光电二极管采用薄膜沉积工艺。
OptoDiode集成薄膜滤光片光敏二极管的型号
|
型号 |
零件编号 |
描述 |
有效面积mm² |
响应率（A/W） |
波长（nm） |
检测范围（nm） |
|
AXUV100TF030 |
ODD-AXU-019 |
带有直接沉积薄膜滤光片的光电二极管 |
100 |
0.16 |
3 |
1-12 |
|
AXUV100TF400 |
ODD-AXU-002 |
带有直接沉积薄膜滤光片的光电二极管 |
100 |
0.15 |
40 |
18-80 |
|
SXUV100TF135 |
ODD-SXU-013 |
带有直接沉积薄膜滤光片的光电二极管 |
100 |
0.09 |
13.5 |
12-18 |
AXUV100TF400光敏二极管的特点
- 100平方毫米的有效面积
- 波长40纳米灵敏度为0.15 A/W
- 检测范围：18纳米至80纳米
- 发货时带有保护罩
AXUV100TF400光敏二极管10mmx10mm测试条件下，有效面积的典型值是100mm²。在40nm波长下灵敏度典型值是0.15A/W。当VR为±10mV时，分流电阻最小值为20欧姆，当电阻的电流为IR=1µA时，反向击穿电压最小值是5V，典型值是10V。VR=0V时，电容的典型值是10nF,最大值是44nF。
AXUV100TF030光敏二极管的特点
- 100平方毫米的有效面积
- 3纳米处的灵敏度为0.16 A/W
- 检测范围：1纳米至12纳米
- 发货时带有保护罩
AXUV100TF030光敏二极管在25°C时的电光特性如下。 在10mmx10mm测试条件下，有效面积的典型值是100mm²。在3nm波长下灵敏度典型值是0.16A/W。当VR为±10mV时，分流电阻最小值为20欧姆，当电阻的电流为IR=1µA时，反向击穿电压最小值是5V，典型值是10V。VR=0V时，电容的典型值是10nF,最大值是44nF。
从典型的灵敏度图可以看到从波长5nm开始灵敏度随着波长的增加而减小。
SXUV100TF135光敏二极管的特点
- 100平方毫米的有效面积
- 在13.5纳米处灵敏度为0.09 A/W
- 探测范围12纳米至18纳米
- 发货时带有保护罩
SXUV100TF135光敏二极管在10mmx10mm测试条件下，有效面积的典型值是100mm²。在13.5nm波长下灵敏度最小值是0.08A/W，典型值是0.09A/W，最大值0.1A/W。当VR=15V时，暗电流典型值是8nA，最大值是25nA。当IR=1µA时，反向击穿电压最小值是25V。VR=0V时，电容的最小值是0.8nF，典型值是1nF，最大值是1.2nF。VR=12V时，电容的最小值是220pF，典型值是260pF，最大值是350pF。当RL=50Ω, VR=12V时，上升时间的典型值是30纳秒。从波长与灵敏度的关系图中可以看到在集成滤光片在13.5nm波长后灵敏度的值是下降的。
