HC Photonics（HCP）专注于将周期性极化非线性（PPXX- PPLN，PPLT，MgO：PPLN，PPMgO：LN）技术推向市场。该公司制造的PPLN产品，特别是周期极化铌酸锂波导晶体和PPLN波导芯片，在实现高转换效率方面位于全球领先地位。换句话说，HCP在开发和生产高效能的PPLN波导芯片领域处于世界领先水平。
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波导型PPLN波导芯片，PPLN waveguide，用于上变频和下变频混频配置
HC Photonics（HCP）专注于将周期性极化非线性（PPXX- PPLN，PPLT，MgO：PPLN，PPMgO：LN）技术推向市场。该公司制造的PPLN产品，特别是周期极化铌酸锂波导晶体和PPLN波导芯片，在实现高转换效率方面位于全球领先地位。换句话说，HCP在开发和生产高效能的PPLN波导芯片领域处于世界领先水平。
HCP可以提供不同波导类型和使用波段的波导PPLN晶体PPLN波导芯片，以满足不同的应用需求。PPLN波导芯片易于使用，PPLN波导晶体的标准波导的典型规格有以下几个，WG-B, WG-G, WG-R, WG-E, WG-T。下文我司将介绍周期极化铌酸锂波导芯片PPLN Waveguide Chips供您了解。
PPLN芯片波导型PPLN标准品规格表：
|
型号 |
泵浦波长(nm) |
输出波长(nm) |
MFD(μm^2) |
数值孔径 |
传播损耗(dB/cm) |
归一化效率(%/W/cm^2) |
温度斜率(℃/nm) |
|
WG-B |
900-1000 |
450-500 |
4.90x4.09 |
0.13x0.15 |
0.9 (0.7) |
160 (250) |
~13 |
|
WG-G |
1000-1200 |
500-600 |
4.90x4.09 |
0.15x0.17 |
1.0 (0.7) |
160 (200) |
~11 |
|
WG-R |
1200-1400 |
600-700 |
5.56x4.30 |
0.15x0.20 |
1.0 (0.75) |
70 (80) |
~10 |
|
WG-E |
1400-1600 |
700-800 |
5.62x4.31 |
0.18x0.23 |
1.0 (0.85) |
50 (65) |
~8 |
|
WG-T |
1900-2200 |
950-1100 |
5.65x4.35 |
0.23x0.30 |
1.1 (1.0) |
20 (35) |
2.5-5.0 |
*1 MFD公差：+/-10%
*2 正常效率公差：+/-20%（指定值）
波导可以在周期性极化晶体上制造，形成频率转换波导，例如在PPLN晶体中制造的PPLN波导。PPLN芯片易于使用，并且能够处理更高的光功率（可达几瓦或更高）；而PPLN波导芯片则提供了更高的转换效率，从而实现了许多PPLN晶体无法实现的应用（尽管在功率处理能力上存在限制，并且在实际对准以实现耦合优化方面也具有一定挑战性）。
周期极化铌酸锂波导芯片波导型PPLN波导晶体主要特点：
-有“快速插入式”非线性混频应用的标准库存
-可用于上变频（SHG/SFG）和下变频（DFG/OPA/OPG）混频配置
-可用于可见光至中红外生成（若生成紫外线和太赫兹亦可联系我司）
-可用于均匀或啁啾QPM结构
HCP提供两种类型的波导的PPLN波导晶体给客户，以满足不同的应用需求，一种是proton in-diffused波导，另一种是ridge波导。与传统的ion或proton in-diffused波导相比，ridge波导由于芯层（LiNbO3）和镀层的折射率差较大，具有较高的损伤阈值和较宽的工作波长范围。PPLN Waveguide Chips良好的限制实现了良好的转换效率和极低传播损耗。
大多数波导型PPLN周期极化铌酸锂波导芯片都是根据客户的要求制造的，但其中一些常用的应用备有标准品库存。请参阅下面的标品的规格，如果标品WG-B, WG-G, WG-R, WG-E, WG-T不符合您的应用需求，请向我们咨询您的特定波长需求。
PPLN波导芯片选型流程：
1. 选择涵盖您感兴趣波段的型号（例如，对应于WG-G的1064 nm SHG）。
2. 选择好您所需的型号之后，向我们咨询是否有库存。
3. 如果您需要的波长不在标准品规格表中，请直接联系我们询问。
