SWIR LED芯片

我们专注于制造和供应覆盖紫外至短波红外（SWIR）波段的高效、高可靠性LED芯片。我们的核心优势在于提供波长、芯片尺寸及极性高度多样化的SWIR LED产品组合，这使我们能够精准匹配并定制各类近红外应用方案。此外，针对有严苛规格要求的客户，我们还可提供SWIR LED芯片的预筛选服务，确保产品性能的一致性与可靠性。

所属品牌： EPIGAP OSA Photonics

负责人：郭工
联系电话：13434776712 电子邮箱：syguo@welloptics.cn

产品介绍

1000-2500nm，短波红外LED芯片

EPIGAP短波红外线(SWIR)LED的发射波长范围在1000至2500纳米之间。这些短波红外发光二极管特别适用于机器视觉领域，因为它们对人眼不可见，并能够揭示物体材料特性的信息。某些波长还具有其他独特特性，例如在玻璃或大气中的低吸收率。短波红外发光二极管 (SWIR LED) 也应用于安防或医疗领域。

EPIGAPSWIR LED芯片有GaAs和InGaAs两种材料，近红外LED芯片又可以称为GaAs LED芯片、红外InGaAs LED芯片和SWIR LED。

我们提供上述以及其他类型的短波红外LED芯片，亦有表面贴装器件(SMD)形式可选。

EPIGAP短波红外LED芯片型号

SWIR LED型号	尺寸μm	材料	极性	电压V	电流mA	输出功率mW	波长nm	FWHM nm
EOLC-1020-17	365	GaAs	P-up	1.25	20	3	1020	35
EOLC-1020-11	960	GaAs	P-up	1.15	350	8.5	1020	40
EOLC-1040-27	350	GaAs	N-up	1.25	120		1040	33
EOLC-1050-17-1	365	GaAs	P-up	1.15	20	4.5	1050	80
EOLC-1050-11	960	GaAs	P-up	1.15	350	20	1050	60
EOLC-1060-17-1	365	GaAs	P-up	1.25	100	4	1060	80
EOLC-1060-11	960	GaAs	P-up		50	3.5	1060
EOLC-1070-25	350	InGaAs	N-up	1.28	100	47	1070	38
EOLC-1140-17	365	InGaAs	P-up	1.2	100	3.5	1140	70
EOLC-1140-11	960	InGaAs	P-up	1.05	350	4	1140	60
EOLC-1200-27	350	InGaAs	N-up	1	100	14.4	1200	62
EOLC-1200-27-1	350	InGaAs	N-up	1.35	100	18.8	1200	51
EOLC-1200-21	1080	InGaAs	N-up	1.33	1000	110	1200	74
EOLC-1200-21-1	1080	InGaAs	N-up	1.28	1000	154	1200	50
EOLC-1300-27	350	InGaAs	N-up	1	100	19.5	1300	95
EOLC-1300-27-1	350	InGaAs	N-up	1.35	100	20.1	1300	59
EOLC-1300-21	1080	InGaAs	N-up	1.28	1000	85	1300	94
EOLC-1300-21-1	1080	InGaAs	N-up	1.25	1000	171	1300	48
EOLC-1350-27-1	350	InGaAs	N-up	1.24	100	17.5	1350	61
EOLC-1350-21-1	1080	InGaAs	N-up	1.25	1000	174	1350	49
EOLC-1450-21	1080	InGaAs	N-up	1	1000	50	1450	75
EOLC-1450-27	350	InGaAs	N-up	0.91	20	3.8	1450	95
EOLC-1460-27	350	InGaAs	N-up	0.91	20	3.8	1450	95
EOLC-1460-27-1	350	InGaAs	N-up	1.2	100	15	1460	59
EOLC-1460-21-1	1080	InGaAs	N-up	1.2	1000	130	1460	69
EOLC-1550-27	350	InGaAs	N-up	0.9	120	6.8	1550	109
EOLC-1550-27-1	350	InGaAs	N-up	1.2	100	11.9	1550	98
EOLC-1550-21	1080	InGaAs	N-up	0.74	1000	50	1550	120
EOLC-1550-21-1	1080	InGaAs	N-up	1.15	1000	101	1550	98
EOLC-1650-27	350	InGaAs	N-up	1.15	100	8.5	1065	106
EOLC-1650-21	1080	InGaAs	N-up	1.15	1000	78	1065	86
EOLC-1720-27	350	InGaAs	N-up	0.8	100	1.8	1720
EOLC-1720-21	1080	InGaAs	N-up	0.67	1000	59	1720	95
EOLC-1720-21-1	1080	InGaAs	N-up	1.1	1000	6.2	1720	129
EOLC-1900-27-1	350	InGaAs	N-up	1.15	100	48	1900	122
EOLC-1900-21-1	1080	InGaAs	N-up	1.1	1000	6.8	1900	109

EPIGAPSWIR LED芯片应用：

-工业机器视觉

-安防与监控

-医疗与生命科学

-红外感应

-高功率应用

EOLC-1060-17-1二维图纸

红外InGaAs LED芯片EOLC-1200-21-1

红外InGaAs LED芯片EOLC-1200-21-1典型的光电特性，测试条件25℃

参数	符号	条件	最小值	典型值	最大值	单位
发射颜色			红外
正向电压	Vf	If=100mA		0.96		V
		If = 1000 mA		1.28		V
峰值波长	λD	If=100mA	1170	1200	1230	nm
FWHM	Δλ	If=100mA		50		nm
辐射功率	P_o	If=100mA		26		mW
		If = 1000 mA		154		mW
反向电流	I_R	VR = 5 V			5	µA
上升时间	T_R	If = 100 mA		66		ns
下降时间	T_F	If = 100 mA		99		ns

红外InGaAs LED芯片最大额定值

参数	符号	最小值	最大值	单位
正向电流(T=25°C，无限散热器)	If, max		1000	mA
反向电压	V_R		5	V
工作温度	Top	-40	+85	℃

红外InGaAs LED芯片机械尺寸

参数	值	最小值	单位
芯片尺寸	1080	±25	µm
厚度	150	±10	µm
P焊盘（底部）/Au合金	-	-	µm
N-焊盘（顶部）/Au合金	130	±10	µm

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