LASER COMPONENTS推出IA35系列高性能InAs红外光电二极管。该系列采用异质结构设计，专为常温工作优化，旨在对我们广受欢迎的IG26系列（扩频InGaAs）进行光谱补充。IA35与IG26系列相结合，共同构成了LASER COMPONENTS更全面、覆盖更广的宽波段红外探测器解决方案。
所属品牌： Laser Components GmbH
负责人：包工
联系电话：13417596712 电子邮箱：cxbao@welloptics.cn
InAs红外探测器，900~3500nm , 直径500μm，峰值响应度≥1.05 A/W
LASER COMPONENTS推出IA35系列高性能InAs红外光电二极管。该系列采用异质结构设计，专为常温工作优化，旨在对我们广受欢迎的IG26系列（扩频InGaAs）进行光谱补充。IA35与IG26系列相结合，共同构成了LASER COMPONENTS更全面、覆盖更广的宽波段红外探测器解决方案。IA35系列红外探测器采用光伏工作原理，有源区域直径达500μm，例如型号IA35S500S4i就是此宽波段InAs光电二极管的代表产品。
InAs宽波段红外探测器常温25℃下InAs光学特性技术参数：
-a：批次抽检参数
-b：100%全测参数
|
型号编码 |
有效光束直径(μm) |
20%截止波长a (μm) |
峰值响应波长a(μm) |
峰值响应度a(A/W) |
900nm响应度a(A/W) |
2800nm响应度a(A/W) |
3200nm响应度a(A/W) |
||||
|
典型值 |
最小值 |
典型值 |
最小值 |
典型值 |
最小值 |
典型值 |
最小值 |
典型值 |
|||
|
IA35S500S4i |
500 |
3.50 |
2.8 |
0.95 |
1.08 |
n.a. |
0.1 |
0.95 |
1.05 |
n.a. |
0.90 |
常温25℃下900~3500nm InAs探测器，LASER COMPONENTS光电特性技术参数：
-a：批次抽检参数
-b：100%全测参数
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型号编码 |
有效光束直径(μm) |
偏压10mV下并联阻抗b(Ohm) |
偏压0.1V下暗电流b(mA) |
D* 峰值a(cm Hz½/W) |
NEP峰值a(W/ Hz½) |
偏压0V下结电容a(pF) |
||
|
最小值 |
典型值 |
典型值 |
最大值 |
典型值 |
典型值 |
典型值 |
||
|
IA35S500S4i |
500 |
450 |
700 |
0.15 |
1 |
1.0E10 |
6.0E-12 |
1000 |
900~3500nm InAs光电二极管绝对最大额定值参数：
-*ANSI/ESD STM5.1-2007
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参数项目 |
最小值 |
最大值 |
|
存储温度(°C) |
-55 |
+80 |
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工作温度(°C) |
-40 |
+60 |
|
连续波反向偏压(V) |
- |
0.25 |
|
连续波正向电流(mA) |
- |
10 |
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5秒焊接温度(°C) |
- |
260 |
|
ESD损伤阈值，HBM类型1A* (V) |
0 |
<250 |
LASER COMPONENTS 宽波段红外探测器均中的IA35S500S4i为带蓝宝石窗口的TO-46封装。砷化铟InAs探测器的的带隙能量约为0.35eV。
作为LASER COMPONENTS宽波段红外探测器的核心组件，这款砷化铟InAs探测器凭借其出色的光电特性，充分展现了红外InAs光电探测器在高阻抗、低暗电流和优异噪声抑制方面的领先水平。这些量化数据不仅印证了其感光面积扩大和噪声降低的设计优势，还使其在严苛环境下工作温度-40~+60°C范围内保持稳定性能。
InAs红外探测器,LC 的主要用于中红外波段的光电探测，相比于InGaAs型探测器，InAs红外探测器,LC 可在室温下工作并且具有拥有更大的并联阻抗与更长的截止波长。InAs宽波段红外探测器主要应用于非接触式温度测量、激光检测、分光光度计等领域。
900~3500nm InAs光电二极管在常温下峰值响应波长为2.8μm，在900nm、2800nm、3200nm下响应度典型值为0.1、1.05和0.90A/W。LASER COMPONENTS的光电二极管采用了创新的异质结构设计，基于InAs衬底匹配优化，红外InAs光电探测器成为响应范围覆盖900~3500nm的宽波段InAs光电探测器。
这款InAs红外光电探测器是高性价比的优质元件。相较于传统红外探测器制造商的InAs产品，InAs宽波段光电二极管在感光面积显著扩大四倍的同时，并联阻抗值实现双倍提升，这意味着更低的暗电流噪声，特别适合要求高灵敏度的应用场合。这些光电探测器设计合理，能提供良好的响应速度，满足大多数InAs红外光电探测器的实用需求。
总的来说，900~3500nm InAs光电二极管作为砷化铟InAs探测器和出色的InAs宽波段光电二极管，凭借其常温工作、大面积感光、高阻抗、宽光谱响应等特性，成为高性能、红外InAs光电探测器的理想选择之一。
InAs宽波段红外探测器主要应用：
-非接触式温度测量
-激光检测
-分光光度计
-气体成分分析
900~3500nm InAs探测器，LASER COMPONENTS的核心特性：
-InAs红外光电探测器峰值响应度：≥1.05 A/W
-峰值响应度80%下典型光谱范围：约900nm至约3500nm
-InAs宽波段光电二极管并联阻抗：典型值700Ω
-20%截止波长≥3.50μm
-卓越温度稳定性
-InAs光电二极管有源区域直径达500μm
900~3500nm InAs探测器，LASER COMPONENTS响应与暗电流的温度依赖性曲线：
