近红外,中红外,远红外,短波红外（SWIR）,中波红外（MWIR）,长波红外（LWIR）区别与联系

在光学领域，红外线的分类多种多样，近红外、中红外、远红外与短波红外、中波红外、长波红外之间的关系常常导致混淆。尽管这些分类之间有一定的波长范围重叠，但它们各自的定义依据和应用场景并不完全相同。准确掌握它们之间的区别与联系，对于光学研究和技术的实际应用具有重要意义。换句话说，理解这些红外分类的独特之处以及它们之间的交叉点，能够为光学技术的发展及其应用提供坚实的基础和清晰的方向。这样不仅能避免误解，还能更有效地推进相关领域的进步。

根据红外探测器材料的响应特性进行分类，可以看出短波中波长波红外分类与材料的响应特性息息相关。其中光子探测器材料有硫化铅（PbS）：是1μm~3μm波段应用很广的器件，一般为多晶薄膜结构。在室温下可工作，阻值适中，响应率高，但响应时间常数较大，电阻温度系数大；硒化铅（PbSe）：工作在3μm~5μm波段，有单元和多元器件，可在常温工作，其性能随工作温度降低有所提高，光电导型器件可以在常温工作，但性能稍低，不如低温时高；锑化铟（InSb）：通常工作在77K，以光伏型为主，有单元、多元器件，线列可长达256以上，灵敏度高、响应速度快，是3μm~5μm波段最成熟、应用最广的探测器，广泛用于热成像、制导、跟踪、探测、告警等；碲镉汞（HgCdTe）：通过调节Hg可以实现带隙从0-0.8eV的连续可调，覆盖了中波红外（3μm-5μm）和长波红外（8μm-14μm）两个波段，量子效率高，器件光响应大、响应率高；锗掺汞（Ge:Hg）：在碲镉汞探测器成熟之前，是工作在8μm~14μm的主要长波探测器，属于杂质光电导探测器，以锗材料为基体，掺入汞杂质。为减少热激发影响，需在很低温度下工作，一般在30K以下；硅掺镓（Si:Ga）：也是一种杂质型光电导探测器，以硅材料为基体，掺入镓杂质会有不同的响应波长，但必须工作在很低的温度，应用受到限制，不过由于其可以和Si信号处理器电路单片集成，受到一定重视。热探测器材料氧化钒（VOx）：是一种非制冷红外探测器的主流敏感材料，其响应波段为8μm~14μm，具有较高的灵敏度和较好的稳定性，能够迅速且准确地响应红外辐射，将无形的红外辐射转化为可分析和研究的电信号；非晶硅（a-Si）：可用于制造非制冷型红外探测器，响应波段通常在8μm~14μm左右，但与氧化钒相比，其灵敏度和稳定性相对较低。

在表格中，分类有近红外、中红外、远红外、短波红外（SWIR）、中波红外（MWIR）、长波红外（LWIR）、可见光波段与太赫兹波段，并且在波段一列中，括号外为常见波段区间，括号内为其他资料反馈，本文资料均取自网络（百度、维基百科、Google、各大实验室公开数据等）。

近红外与短波红外有一定重叠部分，例如短波红外的1.4-3μm部分在近红外的0.75-2.5μm范围内。

中波红外的3-8μm范围在中红外的常见定义范围2.5-25μm内。

近红外、中红外、远红外

短波红外（SWIR）、中波红外（MWIR）、长波红外（LWIR）

从整体波长范围来看，近红外、中红外、远红外的范围更广，包含了短波红外、中波红外、长波红外未涉及的部分。例如，近红外的上限2.5μm以上部分，在短波红外定义中未涵盖；远红外下限25μm以下部分，长波红外未覆盖。

分类的依据对近红外、中红外与远红外而言，主要是与用于反馈各类分子特性，不同波段应用于不同分子应用；对于短波红外（SWIR）、中波红外（MWIR）、长波红外（LWIR）而言，主要是探测器应用，诸如长距离通信、热成像应用等，不同的分类方法基于不同的原理和应用需求，导致它们不能简单地等同。