OptoDiode雪崩光电二极管产品介绍，铟镓砷雪崩二极管和硅APD应用、优势和规格参数

作者：维尔克斯时间：2025-12-29 3:47:48

OptoDiode推出的雪崩光电二极管（APD）产品系列覆盖400nm至1700nm的宽波段范围，能够实现高增益、低噪声的光信号探测。该系列APD采用密封式封装结构，具备响应速度快、探测灵敏度高等优势，广泛适用于激光雷达、激光测距、光谱分析、光通信以及各类科研仪器等对性能要求较高的应用场景。Opto Diode雪崩光电二极管提供铟镓砷雪崩二极管和硅材料雪崩二极管两种版本，可满足可见光、近红外及短波红外的探测需求。

Opto Diode APD产品之所以能在众多应用中发挥作用，主要归功于其一系列技术特点与优势：

Opto Diode雪崩光电二极管的应用场景

-激光雷达和激光测距

-光谱分析与科学仪器

-自动驾驶与安全传感

技术特点与优势

-高增益灵敏度：Opto Diode APD通过其内部的高雪崩倍增因子，将极其微弱的光信号有效地放大，从而实现对传统光电探测器无法探测的弱光进行高信噪比探测的综合能力。Opto Diode的基于铟镓砷材料的APD型号（ODD-APD-003-1550-IGA-T46）可实现1-70倍的增益放大系数，具体取决于器件设计和所加的反向电压；硅基雪崩光电二极管（ODD-APD-020-905-SI-T46，ODD-APD-020-1064-SI-T46）可以取得400倍的增益放大。

-低噪声性能：暗电流参数是评估雪崩光电二极管噪声性能和探测能力的关键指标。硅雪崩光电二极管暗电流最低相较于InGaAs雪崩光电二极管具有更低的暗电流，噪声性能最优，最低可达到0.2nA；InGaAs雪崩光电二极管的平均暗电流为8nA。

-快速响应时间：雪崩二极管的响应时间通常与其自身的结电容大小有关，结电容越小充放电的时间就越快，相应的响应时间也会更短。响应速度最快的是905nm Si APD，其上升时间典型值仅为0.5纳秒，这得益于其1.2 pF的极低结电容。而1064nm Si APD的响应速度相对较慢，其上升时间为2.0纳秒，且结电容最大（2.5-4.0 pF）。

Opto Diode雪崩光电二极管的标准品型号

OptoDiode有三款雪崩光电二极管可供选择(ODD-APD-003-1550-IGA-T46，ODD-APD-020-905-SI-T46，ODD-APD-020-1064-SI-T46)。

ODD-APD-003-1550-IGA-T46是公司的一款InGaAs雪崩光电二极管。ODD代表OptoDiode公司缩写；APD明确表示这是一款雪崩光电二极管；003是一个产品序列代码；1550指其设计中心响应波长为1550nm；IGA代表二极管采用的芯片材料是铟镓砷，这是一种对近红外光（包括1550nm）敏感的材料；T46指其封装形式为TO-46。铟镓砷雪崩二极管的部件号为ODD-APD-001，详细的技术指标如下表：

铟镓砷雪崩二极管参数	测试设定条件	最小值	典型值	最大值	单位
活性区域/光敏面	Φ0.2mm		0.031		mm²
光谱响应范围	-	900-1700			nm
响应度	λ=1550nm, M*=1	0.9	1.0	-	A/W
工作电压	λ=1550nm, M=10	32	-	50	V
工作电压	λ=1550nm, M=30	34	-	50	V
暗电流	M=10	-	8.0	50.0	nA
暗电流	M=30	-	8.0	50.0	nA
带宽	M=10, R_L=50Ω	0.6	1.25	-	GHz
结电容	M=10, f=1MHz	-	1.8	2.0	pF
温度系数	I_R**=10uA, -55°C-85°C	0.07	0.11	0.15	V/°C
封装	-	TO-46			-

*：M表示雪崩二极管的增益倍数

**：I_R表示反向电流

ODD-APD-020-905-SI-T46是硅雪崩光电二极管，它的中心设计波长是905nm，活性区域面积为0.2mm²。该产品的部件号为ODD-APD-002。

参数	测试设定条件	最小值	典型值	最大值	单位
活性区域/光敏面	Φ0.5mm		0.2		mm²
光谱响应范围	-	400-1100			nm
响应度	λ=905nm, M=1	0.5	0.55	-	A/W
工作电压	λ=905nm, M=100	95	-	209	V
工作电压	λ=905nm, M=30	34	-	50	V
暗电流	M=100	0.2	0.4	1.0	nA
上升时间	λ = 905nm, f=1MHz, R_L=50Ω	-	0.5	1.5	ns
结电容	M=100, f=1MHz	-	1.2	1.2	pF
温度系数	I_R=10uA, -40°C-85°C	-	0.9	-	V/°C
反向击穿电压	I_R=10uA	100	-	220	V
封装	-	TO-46			-

ODD-APD-020-1064-SI-T46是硅雪崩光电二极管，它的中心设计波长是1064nm，活性区域面积0.2mm²。该产品的部件号为ODD-APD-003。

参数	测试设定条件	最小值	典型值	最大值	单位
活性区域/光敏面	Φ0.5mm		0.2		mm²
光谱响应范围	-	400-1100			nm
响应度	λ=1064nm, M=1	0.3	0.36	-	A/W
工作电压	λ=1064nm, M=100	332	-	437	V
暗电流	M=100	-	5.0	12.0	nA
上升时间	λ = 1064nm, f=1MHz, R_L=50Ω	-	2.0	-	ns
结电容	M=100, f=1MHz	-	2.5	4.0	pF
温度系数	I_R=10uA, -40°C-85°C	-	2.4	4.0	V/°C
反向击穿电压	I_R=10uA	350	-	460	V
封装	-	TO-46			-

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