这款日本OXIDE的114nm VUV激光器专为光电子能谱（PES/ARPES/TOF）实验设计，提供11eV光子能量。它具有高相干性、微聚焦能力和免调试的一体化结构，重复频率可选50MHz或5MHz，功率超5μW。其超高的能量分辨率（<0.6meV）和短脉冲（<30ps）非常适合电池及纳米材料研究，且工业级可靠性有助于提升科研效率。
所属品牌： Oxide
负责人：陈工
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OXIDE脉冲VUV激光器，114nm，11eV光子能量
这款日本OXIDE的114nm VUV激光器专为光电子能谱（PES/ARPES/TOF）实验设计，提供11eV光子能量。它具有高相干性、微聚焦能力和免调试的一体化结构，重复频率可选50MHz或5MHz，功率超5μW。其超高的能量分辨率（<0.6meV）和短脉冲（<30ps）非常适合电池及纳米材料研究，且工业级可靠性有助于提升科研效率。
114nm真空紫外激光器/114激光器/真空紫外VUV相干光源/11eV激光器/114nm激光器/VUV皮秒激光器/ VUV激光光源/114nmVUV光源（PEV-H,PEV-L）是一款专门为光电子能谱（PES）应用设计的真空紫外（VUV）相干光源。它基于日本OXIDE的深紫外激光技术研发而成。例如，将该VUV光源与角分辨光电子能谱仪（ARPES）和飞行时间（TOF）分析仪集成后，能够构建用于开发电池材料、纳米材料等的新材料开发工具，也有助于实现全新的激光光电子能谱仪。
114nm激光器/VUV皮秒激光器/114nmVUV光源规格
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型号 |
PEV-H |
PEV-L |
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光子能量 |
11eV*1（114nm波长） |
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能量分辨率 |
<0.6meV |
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重复频率 |
50MHz |
5MHz*2 |
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输出功率*3 |
>5μW |
>3μW |
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脉宽 |
<30ps |
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特点 |
峰值功率受抑制，空间电荷效应降低 |
出厂预设重复频率，可根据客户TOF应用选择 |
注：
*1.对应114nm光波长。
*2.可在0.5MHz-5MHz范围内设置。
*3.初始输出功率。
日本OXIDE的114nm真空紫外激光器/114激光器/真空紫外VUV相干光源/11eV激光器/114nm激光器/VUV皮秒激光器/114nmVUV光源输出具有相干性，因此可以使用单个透镜将激光聚焦到目标样品上（可选微聚焦）。通过将所有光学元件集成在一个单元内，现场无需对设备进行调整，从而缩短了从设备交付到开始光电子能谱测量的准备时间。PEV系列VUV激光光源专为研究应用设计，具备工业级质量，可靠性高。
图：114nm真空紫外激光器/114激光器/真空紫外VUV相干光源/11eV激光器/114nm激光器/VUV皮秒激光器/114nmVUV光源
114nm真空紫外激光器/114激光器主要特点
-激光输出相干，可单透镜聚焦（可选微聚焦）。
-光学元件一体化集成，现场免调试。
-工业级质量，可靠性高，适用于研究应用。
真空紫外VUV相干光源/11eV激光器主要应用
-光电子能谱分析。
-作为角分辨光电子能谱仪（ARPES）的激发光源。
-作为飞行时间光电子能谱仪（TOF）的激发光源。
