LASER COMPONENTS推出的InGaAs近红外红外雪崩光电探测器具有1100-1700纳米的光谱探测范围。相比锗基APD，这款近红外雪崩光电二极管展现出明显更优异的噪声性能。在相同有效面积下，它能提供更高的带宽，同时凭借其在1700纳米波长处的增强灵敏度而具备独特优势。
所属品牌： Laser Components GmbH
负责人：包工
联系电话：13417596712 电子邮箱：cxbao@welloptics.cn
InGaAs雪崩光电二极管，1100~1700nm,有效感光区域直径80-500μm
LASER COMPONENTS推出的InGaAs近红外红外雪崩光电探测器具有1100-1700纳米的光谱探测范围。相比锗基APD，这款近红外雪崩光电二极管展现出明显更优异的噪声性能。在相同有效面积下，它能提供更高的带宽，同时凭借其在1700纳米波长处的增强灵敏度而具备独特优势。
1100~1700nm铟镓砷APDs的IAG规格参数：
InGaAs近红外雪崩光电二极管通用特性（环境温度T=21°C）
|
参数项目 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|
波长范围(nm) |
1000 |
|
1630 |
|
峰值灵敏度(nm) |
|
1550 |
|
InGaAs近红外雪崩光电二极管绝对最大额度值：IAG080X/IAG200X/IAG350X
|
参数项目 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|
储存温度(°C) |
-60 |
|
125 |
|
工作温度(°C) |
|
|
85 |
|
最大反向电流(mA) |
|
|
1 |
|
最大正向电流(mA) |
|
|
10 |
|
光输入(10ns脉冲)(kW/cm²) |
|
|
200 |
|
光输入(平均)(dBm) |
|
|
0/0/2 |
|
焊接温度(15秒内)(°C) |
|
|
260 |
InGaAs近红外雪崩光电二极管电气特性（壳温Tc=25°C,波长λ=1550nm）
|
参数项目 |
IAG080X |
IAG200X |
IAG350X |
||||||
|
最小值 |
典型值 |
最大值 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|
|
有效区域直径(μm) |
78 |
80 |
82 |
200 |
205 |
210 |
350 |
352 |
355 |
|
响应度@M=1(A/W) |
0.85 |
0.94 |
1.05 |
0.09 |
0.94 |
1.05 |
0.90 |
0.94 |
1.05 |
|
暗电流@M=10(nA) |
|
-3 |
15 |
|
25 |
50 |
|
50 |
250 |
|
工作电压Vr@M=10(V) |
|
60 |
70 |
|
55 |
65 |
|
45 |
60 |
|
击穿电压Vbr(Id=10μA)(V) |
45 |
66 |
75 |
45 |
60 |
75 |
30 |
55 |
70 |
|
电容(pF) |
0.32 |
0.35 |
0.40 |
|
1.7 |
2.1 |
35 |
4.1 |
4.6 |
|
Vbr温度系数(V/°C) |
|
0.075 |
|
|
0.075 |
|
|
0.075 |
|
|
带宽@M=5(GHz) |
2.0 |
2.5 |
3.0 |
0.5 |
1.0 |
1.5 |
|
0.6 |
|
|
带宽@M=10(GHz) |
2.0 |
2.5 |
3.0 |
0.5 |
1.0 |
1.5 |
|
0.6 |
|
|
带宽@M=20(GHz) |
1.5 |
2.2 |
2.5 |
0.5 |
0.8 |
1.2 |
|
0.6 |
|
|
超噪因子F@M=10 |
|
3.2 |
3.7 |
|
3.2 |
3.7 |
|
3.2 |
3.7 |
|
超噪因子F@M=20 |
|
5.5 |
6.0 |
|
5.5 |
6.0 |
|
5.5 |
6.0 |
|
NEP@M=10(pW/√Hz) |
|
0.04 |
0.07 |
|
0.07 |
0.2 |
|
0.12 |
|
1100~1700nm铟镓砷APDs的IAL规格参数：
近红外InGaAs雪崩探测器通用特性（环境温度T=21°C）
|
参数项目 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|
波长范围(nm) |
800 |
|
1700 |
|
峰值灵敏度(nm) |
|
1550 |
|
近红外InGaAs雪崩探测器绝对最大额度值：IAG080X/IAG200X/IAG350X
|
参数项目 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|
储存温度(°C) |
-45 |
|
100 |
|
工作温度(°C) |
-40 |
|
85 |
|
最大反向电流(mA) |
|
|
5 |
|
最大正向电流(mA) |
|
|
3 |
|
光输入(M=10;10ns;10kHz)(mW) |
|
|
1 |
|
平均光输入(M=10;10ns;10kHz)(mW |
|
|
2 |
|
焊接温度(10秒内)(°C) |
|
|
260 |
近红外InGaAs雪崩探测器电气特性（壳温Tc=25°C,波长λ=1550nm）
|
参数项目 |
IAL200XX |
IAL500XX |
||||
|
最小值 |
典型值 |
最大值 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|
|
有效直径(μm) |
|
200 |
|
|
500 |
|
|
波长范围(nm) |
800 |
|
1700 |
800 |
|
1700 |
|
峰值灵敏度(nm) |
|
1550 |
|
|
1550 |
|
|
响应度@M=1(A/W) |
|
0.9 |
|
|
0.9 |
|
|
暗电流@M=10(nA) |
|
25 |
50 |
|
40 |
250 |
|
工作电压Vr@M=10(V) |
36 |
51 |
56 |
37 |
52 |
57 |
|
击穿电压Vbr(Id=10μA)(V) |
40 |
55 |
60 |
40 |
55 |
60 |
|
电容@M=10(pF) |
|
2.4 |
|
|
5 |
|
|
Vbr温度系数(V/°C) |
|
0.11 |
0.15 |
|
0.11 |
0.2 |
|
带宽@M=10;R=50Ω(GHz) |
|
0.6 |
|
0.25 |
0.5 |
|
|
上升时间@M=10;R=50Ω(ps) |
|
500 |
|
|
700 |
|
|
超噪因子F@M=10 |
|
|
|
|
6 |
|
|
NEP@M=10(pW/√Hz) |
|
|
|
0.06 |
|
2 |
LC铟镓砷APD探测器具备IAG与IAL两种型号，IAG系列近红外雪崩光电探测器具有低噪声特性。IAG系列近红外雪崩光电探测器可在放大因子M=30下工作，传统APD在放大倍数约为M=10时，噪声就已非常强，以至于几乎无法实现有效的信号探测。特别是在环境光较弱的应用中，这些铟镓砷APD探测器可以在高放大倍数下运行，并显著提高其灵敏度。对于三维扫描仪和测距仪而言，可以实现相当大的测量范围。IAG系列雪崩光电二极管是市面上可获得的尺寸最大的LC近红外雪崩光电二极管，在1000至1630纳米波长范围内具有高响应度和极快的上升/下降时间。其在1550纳米处的峰值响应度非常适用于人眼安全测距应用、自由空间光通信、OTDR（光时域反射仪）以及高分辨率光学相干断层扫描。InGaAs近红外探测器芯片采用改良的TO-46封装进行气密封装。亦可提供表贴（SMD）和带尾纤的版本。IAG系列铟镓砷APD探测器提供有效区域直径分别为80μm、200μm或350μm的产品。而除了IAG以外在许多测距应用中，M=20的增益完全足够。在这些情况下，IAL系列的LC近红外雪崩光电二极管为IAG系列的高端探测器提供了一个高性价比的替代选择。它们设计用于800纳米至1700纳米之间的波长，并在几乎整个波长范围内实现70%的量子效率。
1100~1700nm InGaAs雪崩光电二极管系列特点：
-IAG具备80、200或350μm有效感光区域，IAL具备woo或500μm有效感光区域
-InGaAs近红外探测器高达2.5GHz的带宽
-在1000至1600纳米范围内量子效率（QE）超过70%
-低暗电流和低噪声
-改良型TO-46封装或陶瓷基座
-可提供光纤耦合版本
1100~1700nm InGaAs雪崩光电二极管系列应用：
-测距
-光通信系统
-光学相干断层扫描
-弱光检测
1100~1700nm InGaAs APDs的IAG性能测试图表：
1100~1700nm InGaAs APDs的IAL性能测试图表：
1100~1700nm InGaAs雪崩光电二极管的IAG封装图纸：
1100~1700nm InGaAs APDs的IAL封装图纸
