optogama主要提供BSO，Fe：LiNbO 3，SBN和BGO这四种光折变晶体，光折变效应是通过光强度的空间变化来改变局部折射率的现象。观察到相干光在光折射材料中相互干扰时会形成空间变化的照明模式。该效果可用于存储临时的可擦除全息图，也称为全息数据存储。它也可以用于创建相位共轭镜或光学空间孤子。
所属品牌： Optogama
负责人：蒋画
联系电话：13622396712 电子邮箱：hjiang@welloptics.cn
BSO晶体、Fe:LiNbO 3晶体、SBN晶体、BGO晶体
Optogama提供4Lasers品牌的BSO，Fe：LiNbO3、SBN和BGO晶体主要用于开发光折变效应的应用。光折变效应是一种通过光强的空间变化来改变局部折射率的现象。在光折变材料中，当相干光相互干扰时观察到，光折变材料形成了空间变化的照明模式。这种效果可以用来存储临时的、可擦除的全息图，也称为全息数据存储。它也可以用来制造相位共轭镜或光学空间孤子。
硅酸铋(Bi)12SiO20，bso)晶体是一种高效率的光导材料，暗导率低，允许大量的光诱导空间电荷的积累。巨大的光电导性和电光特性提高了BSO晶体的应用范围：空间光调制器、光开关、相位共轭混合器。Optogama用改进的Czochralski法生长了BSO晶体，其孔径可达3英寸。
铌酸锂(LiNbO)3掺杂铁(Fe：LiNbO)的LN晶体3)具有高的光折变灵敏度、高的电光系数和衍射效率、化学力学性能，是一种很有吸引力的光折变材料。Fe：LiNbO3晶体采用Czochralsky法生长，尺寸大。广泛的可用掺杂剂和水平可以调整特定应用的材料性能。更重要的是，Fe：Linbo3晶体操作方便，成本低，适合批量生产。
SBN晶体具有优良的光学和光折变性能。它们表面上是纯的，被Ce，Cr，Co或Fe掺杂。不同成分的SBN晶体在电光、声光、光折变、非线性光学等领域有着广泛的应用。包裹体和其它非均匀性SBN晶体，采用改进的Stepanov法生长，线性尺寸可达40 mm。
锗酸铋（Bi12GeO20，BGO）晶体是具有低暗电导率的高效光电导体，可以积累大量光致空间电荷。
硅酸铋晶体主要特点：
-高电光系数(r41=5pm/v)
-高相位共轭效率
-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。
-可根据要求定制
BSO晶体主要应用：
-空间光调制器
-光开关
-相位共轭混合器。
BSO晶体的技术特性：
|
化学公式 |
Bi12SiO20 |
|
晶体结构 |
立方体，点编组23 |
|
晶格参数 |
10.10 a |
|
密度 |
9.2克/cm3 |
|
Mohs硬度 |
5 |
|
透明度范围 |
0.45-6μm |
|
折射率 |
2.5 |
|
光学活性 |
42deg/mm |
|
电光系数 |
r41 = 5 pm/V |
|
介电常数(低频) |
56 |
|
暗电阻 |
1014 Ohm cm |
BSO晶体的产品规格：
|
透明孔径 |
85 % |
|
面尺寸公差 |
+0/-0.2毫米 |
|
厚度公差 |
±0.2毫米 |
|
平行度误差 |
<30 arcsec |
|
保护槽 |
<0.3 mm at 45° |
|
表面质量 |
40-20 S-D |
|
波前畸变 |
<λ/4@6328 nm |
|
涂层 |
无涂层 |
硅酸铋晶体产品型号
|
SKU |
面尺寸 |
厚度 |
定向 |
价格（RMB） |
|
1558 |
30×30毫米 |
1.0毫米 |
[110] |
5500 |
|
6880 |
20x20毫米 |
1.0毫米 |
[110] |
4500 |
|
6881 |
20x20毫米 |
1.0毫米 |
[100] |
4500 |
|
6882 |
10x10毫米 |
5毫米 |
[110] |
6500 |
|
6883 |
10x10毫米 |
5毫米 |
[100] |
6500 |
|
6884 |
5x5毫米 |
5毫米 |
[110] |
4800 |
|
6885 |
5x5毫米 |
5毫米 |
[100] |
4900 |
|
9095 |
30×30毫米 |
1.5毫米 |
[110] |
5600 |
铌酸锂晶体主要特点：
-高电光系数(r41=5pm/v)
-高相位共轭效率
-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。
-可根据要求定制
LiNbO3晶体的主要应用：
-空间光调制器
-光开关
-全息记录
-光波导
LiNbO3晶体技术特性：
|
化学公式 |
Fe：LiNbO3 |
|
晶体结构 |
三角形，3m |
|
密度 |
4.64克/cm3 |
|
Mohs硬度 |
5 |
|
透明度范围 |
0.35-5.5μm |
|
折射率@0，63μm |
ne = 2.20, no = 2,29 |
|
电光系数 |
r22 = 6,8 pm/V,r31 = 10 pm/V,r33 = 32 pm/V |
|
介电常数 |
e11 = 85,e33 = 30 |
铌酸锂晶体产品规格：
|
Fe2O3 |
0.1 mol. %，0.05 mol. %，0.03 mol. %，0.02 mol. % |
|
定向 |
90°切割(X-切割，Y-切割) |
|
透明孔径 |
85 % |
|
面尺寸公差 |
+0/-0.2毫米 |
|
厚度公差 |
±0.2毫米 |
|
平行度误差 |
<3 arcmin |
|
保护槽 |
<0.3 mm at 45° |
|
表面质量 |
20-10 S-D |
|
波前畸变 |
<λ/4@6328 nm |
|
涂层 |
无，可根据要求提供抗反射或铟锡氧化物涂层 |
|
电极 |
无，可根据要求提供 |
铌酸锂晶体产品型号：
|
SKU |
面尺寸 |
长度 |
掺杂水平 |
价格（RMB） |
|
4052 |
10x10毫米 |
5毫米 |
0，05%Fe2O3 |
请求 |
|
6457 |
10x10毫米 |
5毫米 |
0，02%Fe2O3 |
请求 |
|
6458 |
10x10毫米 |
5毫米 |
0，03%Fe2O3 |
请求 |
|
7005 |
10x10毫米 |
5毫米 |
0，1%Fe2O3 |
请求 |
|
7006 |
10x10毫米 |
1毫米 |
0，02%Fe2O3 |
4000 |
|
7007 |
10x10毫米 |
1毫米 |
0，03%Fe2O3 |
4000 |
|
7008 |
10x10毫米 |
1毫米 |
0，05%Fe2O3 |
4000 |
|
7009 |
10x10毫米 |
1毫米 |
0，1%Fe2O3 |
4000 |
|
7010 |
20x20毫米 |
1毫米 |
0，02%Fe2O3 |
请求 |
|
7011 |
20x20毫米 |
1毫米 |
0，03%Fe2O3 |
请求 |
|
7012 |
20x20毫米 |
1毫米 |
0，05%Fe2O3 |
请求 |
|
7013 |
20x20毫米 |
1毫米 |
0，1%Fe2O3 |
请求 |
SBN晶体的主要特点：
-Ce，Cr，Co，Fe纯掺杂
-有效相位共轭
-定制尺寸，掺杂水平，无极化，减反射涂层和没有电极晶体可根据要求
SBN晶体的主要应用：
-光学信息记录
-热释电探测器
-自泵浦自共轭镜
-光学相关器
SBN晶体的技术特性：
|
构图 |
SBN：61 |
SBN：75 |
|
晶体结构 |
四边形，4毫米 |
四边形，4毫米 |
|
晶格参数 |
a = 12,46 Å, c = 3,946 Å |
a = 12,43024 Å, c = 3,91341 Å |
|
密度 |
5,4 g/cm3 |
5,4 g/cm3 |
|
Mohs硬度 |
5.5 |
5.5 |
|
熔化温度 |
1480°C |
1480°C |
|
居里温度 |
75°C |
56℃ |
|
透光度范围 |
0.45-5.5μm |
0.4-5.5μm |
|
折射率@633 nm |
no = 2.3103,ne = 2.2817 |
no = 2.3117,ne = 2.2987 |
|
Δn@633 nm |
-0.0286 |
-0.0130 |
|
传动 |
0.45-5.5μm |
0.4-5.5μm |
|
半波电压(λ/2) |
240 V |
60V |
|
介电常数(T=293 K) |
900 |
340 |
|
电光系数 |
R13=45 pm/V,R33=250 pm/V |
R13=65 pm/V,R33=740 pm/V,r42=40 pm/V |
|
热释电系数 |
0.065μC×cm-2×K-1 |
0.28μC×cm-2×K-1 |
|
介电常数 |
880 |
3400 |
SBN晶体的产品规格：
|
定向 |
沿四方轴的短边 |
|
波林 |
极化 |
|
电极 |
碳水电极 |
|
透明孔径 |
85% |
|
面尺寸公差 |
+0/-0.2毫米 |
|
厚度公差 |
±0.2毫米 |
|
平行度误差 |
<30 arcsec |
|
保护槽 |
<0.1 mm at 45° |
|
表面质量 |
20-10 S-D通过透明光圈，60-40 S-D其他表面 |
|
表面平整度 |
<λ/4@6328 nm |
|
涂层 |
无涂层 |
SBN晶体的产品型号：
|
SKU |
材料 |
面尺寸 |
长度 |
掺杂 |
价格(RMB) |
|
6940 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
5毫米 |
CeO 2 0，002 wt，% |
15000 |
|
6941 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
10毫米 |
CeO 2 0，002 wt，% |
18500 |
|
6942 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
15毫米 |
CeO 2 0，002 wt，% |
24000 |
|
6943 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
20毫米 |
CeO 2 0，002 wt，% |
30000 |
|
6944 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
5毫米 |
CeO 2 0，01 wt，% |
15000 |
|
6945 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
10毫米 |
CeO 2 0，01 wt，% |
18800 |
|
6946 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
15毫米 |
CeO 2 0，01 wt，% |
22000 |
|
6947 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
20毫米 |
CeO 2 0，01 wt，% |
30000 |
|
6948 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
5毫米 |
CeO 2 0，1 wt，% |
15000 |
|
6949 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
10毫米 |
CeO 2 0，1 wt，% |
18500 |
|
6950 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
15毫米 |
CeO 2 0，1 wt，% |
24000 |
|
6951 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
20毫米 |
CeO 2 0，1 wt，% |
30000 |
|
73 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
5毫米 |
未掺杂 |
15000 |
|
74 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
10毫米 |
未掺杂 |
18500 |
|
75 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
15毫米 |
未掺杂 |
24000 |
|
76 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
20毫米 |
未掺杂 |
30000 |
BGO晶体的主要特点：
-高电光系数(r41=3，5 pm/v)
-低暗电导
-大尺寸元件或晶片最多可达3“
-可根据要求定制
BGO晶体的主要应用：
-空间光调制器
-光开关
-光学相关器
BGO晶体的技术特性：
|
化学公式 |
Bi12GeO20 |
|
晶体结构 |
立方体，点编组23 |
|
晶格参数 |
10.15 a |
|
密度 |
9.2克/cm3 |
|
传输范围 |
0.45-7米 |
|
折射率@0.63m |
2,55 |
|
光学活性@500 nm |
41.5度/毫米 |
|
电光系数r41 |
3.5 pm/V |
|
介电常数 |
40 |
|
暗电阻 |
1014 Ohm cm |
BGO晶体的产品规格：
|
透明孔径 |
85% |
|
面尺寸公差 |
+0/-0.2毫米 |
|
厚度公差 |
±0.2毫米 |
|
平行度误差 |
<30 arcsec |
|
保护槽 |
<0.3 mm at 45° |
|
表面质量 |
40-20 S-D |
|
波前畸变 |
<λ/4@6328 nm |
|
涂层 |
无涂层 |
BGO晶体的产品型号：
|
SKU |
面尺寸 |
长度 |
定向 |
价格(RMB) |
|
6868 |
5x5毫米 |
5毫米 |
[110] |
5600 |
|
6871 |
5x5毫米 |
5毫米 |
[100] |
5600 |
|
6872 |
10x10毫米 |
5毫米 |
[110] |
8500 |
|
6873 |
10x10毫米 |
5毫米 |
[100] |
8500 |
|
6874 |
20x20毫米 |
1毫米 |
[110] |
5000 |
|
6875 |
20x20毫米 |
1毫米 |
[100] |
5000 |
|
6876 |
30×30毫米 |
1毫米 |
[110]，边与<001>平面±2deg平行 |
6000 |
|
6877 |
30×30毫米 |
1，5毫米 |
[110] |
6000 |
