1900nmLED发光二极管

1900nm发光二极管SMB1N-1900D-02和SMB1N-1900D均采用聚酰胺树脂SMD 封装(PA9T)。Roithner 1900nmLED发光二极管带有1000x1000μm的砷化镓芯片（InGaAs chip）。

所属品牌： 奥地利Roithner Lasertechnik

负责人：郭工
联系电话：13434776712 电子邮箱：syguo@welloptics.cn

产品介绍

PA9T SMD封装的Roithner发光二极管，1900nm波长，30mW高功率

1900nm发光二极管SMB1N-1900D-02和SMB1N-1900D均采用聚酰胺树脂SMD 封装(PA9T)。Roithner 1900nmLED发光二极管带有1000x1000μm的砷化镓芯片（InGaAs chip）。砷化镓芯片技术以及采用耐热聚酰胺 (PA9T) SMD封装，底座尺寸均为5x5mm。该产品有SMB1N系列一如既往的的高功率。

SMB1N-1900D是一款基于InGaAsP的表面贴装高功率红外高功率LED，典型峰值波长为1900nm，光输出功率为27mW@1A。Roithner 高功率发光二极管采用聚酰胺树脂 SMD 封装 (PA9T)，带有镀银焊盘（可无铅焊接）、铜散热器和硅树脂模压平窗。SMB1N-1900D-02的光输出功率为30mW@1A。1900nm高功率LED SMB1N-1900D-02不仅采用聚酰胺树脂SMD封装(PA9T)，带有镀银焊盘（可无铅焊接）、铜散热器和硅树脂模制透镜，还可根据要求提供不同光束角度的其他变体。

Roithner LED SMB1N-1900D与SMB1N-1900D-02的最大区别是SMB1N-1900D-02含有透镜，从而导致其光束角为±9°，而SMB1N-1900D的光束角为±64°。

Roithner 1900nm LED的主要特点：

-红外高功率LED

-特定波长1900nm，光输出功率27mW（SMB1N-1900D）或30mW（SMB1N-1900D-02）

-砷化镓芯片（InGaAs chip），1x1mm

- PA9T SMD 封装

-光束角±64°（SMB1N-1900D）或±9°（SMB1N-1900D-02）

1900nmLED发光二极管的最大额定值*：

参数	符号	最小值	最大值	单位
功率耗散	P_D		1600	mW
正向电流	I_F		1000	mA
脉冲正向电流**	I_FP		2000	mA
反向电压	U_F		2	V
热阻	R_THJA		10	K/W
结温	T_J		120	°C
工作温度	T_CASE	-40	+85	°C
存储温度	T_STG	-40	+100	°C
引线焊接温度 (t_max.5s)	T_SLD		+250	°C

*接近或超过这些参数的操作可能会损坏设备

**占空比=1%，脉冲宽度=10μs

1900nm高功率LED电子光学特性（T_CASE = 25°C）：

参数	符号	条件	最小值	典型值	最大值	单位
峰值波长	λ_P	I_F=1 A	1850		1950	nm
半宽	λ_Δ	I_F=1 A		120		nm
正向电压	V_F	I_F=1 A		1.2	1.6	V
正向电压	V_FP	I_FP=2 A*		1.6		V
总辐射功率	P_O	I_F=1 A	18	27		mW
总辐射功率	P_O	I_F=2 A*		47		mW
辐射强度	I_E	I_F=1 A		/		mW/sr
辐射强度	I_E	I_F=2 A*		/		mW/sr
视角	2θ_1/2	I_F=100 Ma		128		deg.
上升时间	t_r	I_F=1 A		90		ns
下降时间	t_f	I_F=1 A		30		ns

*占空比=1%，脉冲宽度=10μs

1900nmLED发光二极管的外形尺寸：

1900nm发光二极管SMB1N-1900D

红外高功率Roithner LED典型性能曲线：

1900nmLED发光二极管

TrinamiX硒化铅探测器

量子级联激光超快光电探测器20GHz

Laser Components红外探测器APD

VCSEL激光器_Vertilas