Amplification热电冷却InGaAs探测器可以实现高品质的内部放大，具有高增益（＞105）、快速响应（＜0.4ns上升时间）和极低的过噪声因子（＜1.05）。
所属品牌： 美国Amplification
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950-1650nmNIR InGaAs光子探测器，2000个光子的灵敏动态，配备热电冷却器
Amplification热电冷却InGaAs探测器通过专利技术可以实现高品质的内部放大，具有高增益（＞105）、快速响应（＜0.4ns上升时间）和极低的过噪声因子（＜1.05）。该产品采用TO-8封装，配有热电冷却器，环境温度为25°C时，可以冷却到-50°C。
近红外铟镓砷光子探测器的TEC性能：
TEC是一款三级冷却器，采用高质量的散装BiTe材料制造，符合RoHS规范，并通过了Telordia GR-468 认证。符合RoHS规范，并通过了Telcordia GR-468认证。以下是理想条件下的 TEC 性能参数：
近红外铟镓砷探测器TEC性能数据不包括TO封装和散热器布置，实际使用限制冷却温度在-50°C至-55°之间。上图中所示的InGaAs探测器性能参数是在最优散热和无负载条件下获得的。在TO-8头部的实际使用中，应仔细考虑设计一个合适的散热方案。为了获得最大的可靠性，建议在非凝结环境下存储和操作温度低于85°C。为了尽量减少热应力，应使用线性/比例温度控制或类似的方法，而不是开关控制方法。
Amplification NIRDAPD TEC近红外探测器是一款近红外离散放大光子探测器，波长覆盖950nm至1650nm的近红外波段。Amplification热电制冷近红外探测器DAPD TO8专为宽带模拟检测低光信号而设计，近红外铟镓砷探测器对NIR模拟检测器而言具有独一无二的信号脉冲灵敏度。NIR InGaAs光子探测器的灵敏度涵盖了从单个光子到每脉冲约2000个光子的宽动态范围，并且其输出信号与检测到的光子数成正比。
Amplification近红外TEC探测器DAPD-TO8有两种不同的有效面积尺寸可供选择：80µm和200µm。
Amplification近红外探测器的主要特点：
-近红外光谱响应从950到1650 nm
-快速响应：上升时间< 0.4ns
-高增益：在最大PDE下，G=~100k
-低噪声因子：F<1.05
- TEC冷却到-50ºC
这表明热电冷却InGaAs探测器可以通过热电制冷（TEC）技术冷却到极低的温度。在低温下，Amplification近红外离散放大光子探测器的性能可能会得到提高，因为热噪声会减少。Amplification近红外探测器DAPD TO8的输出信号相对于噪声是非常干净的，可以提高检测的准确性。
Amplification近红外铟镓砷探测器的主要应用：
-激光雷达3D成像
-激光雷达和环境监测
-光谱学和仪器
-量子通信
NIRDAPD TEC近红外探测器的规格：（工作温度为 -50°C 时）
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参数 |
DAPD TO8 series |
单位 |
|
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有效区域直径 |
80 |
200 |
μm |
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频谱响应范围（λ） |
950-1650 |
nm |
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典型增益 (M) |
1x105 |
- |
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过量噪声系数 |
＜1.05 |
- |
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光子检测效率@1550 纳米 (PDE)1 |
10-20 |
% |
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单电子响应脉冲宽度 (FWHM) |
1.0 |
1.0 |
Ns |
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典型暗计数率 |
10 |
25 |
Mcps |
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工作偏置 |
50-80 |
V |
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(1) 近红外TEC探测器的光子检测效率包括串扰和后脉冲。
